公开(公告)号：US20100327248A1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：US12493281

申请日：2009-06-29

申请人： Antoine Khoueir ,  Shuiyuan Huang ,  Andrew Habermas ,  Helena Stadniychuk ,  Ivan P. Ivanov ,  Yongchul Ahn

发明人： Antoine Khoueir ,  Shuiyuan Huang ,  Andrew Habermas ,  Helena Stadniychuk ,  Ivan P. Ivanov ,  Yongchul Ahn

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L43/12

摘要： A method of making a memory cell or magnetic element by using two hard masks. The method includes first patterning a second hard mask to form a reduced second hard mask, with a first hard mask being an etch stop for the patterning process, and then patterning the first hard mask to form a reduced first hard mask by using the reduced second hard mask as a mask and using an etch stop layer as an etch stop. After patterning both hard masks, then patterning a functional layer by using the reduced first hard mask as a mask. In the resulting memory cell, the first hard mask layer is also a top lead, and the diameter of the first hard mask layer is at least essentially the same as the diameter of the etch stop layer, the adhesion layer, and the functional layer.

摘要翻译： 通过使用两个硬掩模制造存储器单元或磁性元件的方法。 该方法包括首先构图第二硬掩模以形成还原的第二硬掩模，其中第一硬掩模是用于图案化工艺的蚀刻停止，然后通过使用所述还原的第二硬掩模来形成第一硬掩模以形成减小的第一硬掩模 硬掩模作为掩模，并使用蚀刻停止层作为蚀刻停止。 在图案化两个硬掩模之后，然后通过使用还原的第一硬掩模作为掩模来图案化功能层。 在所得到的存储单元中，第一硬掩模层也是顶部引线，并且第一硬掩模层的直径至少基本上与蚀刻停止层，粘附层和功能层的直径相同。

公开(公告)号：US06977217B1

公开(公告)日：2005-12-20

申请号：US10308410

申请日：2002-12-03

申请人： Mira Ben-Tzur ,  Gorley L. Lau ,  Ivan P. Ivanov ,  Feng Dai ,  Chan-Lon Yang

发明人： Mira Ben-Tzur ,  Gorley L. Lau ,  Ivan P. Ivanov ,  Feng Dai ,  Chan-Lon Yang

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76843

摘要： In one embodiment, a via structure includes a liner, a barrier layer over the liner, and an aluminum layer over the barrier layer. The barrier layer helps minimize reaction between the aluminum layer and the liner, thus helping minimize void formation in the via. The liner and the barrier layer may be deposited in-situ by ionized metal plasma (IMP) physical vapor deposition (PVD). In one embodiment, the liner comprises titanium, while the barrier layer comprises titanium nitride.

摘要翻译： 在一个实施例中，通孔结构包括衬垫，衬垫上的阻挡层和阻挡层上的铝层。 阻挡层有助于最小化铝层和衬垫之间的反应，从而有助于最小化通孔中的空隙形成。 衬垫和阻挡层可以通过离子化金属等离子体（IMP）物理气相沉积（PVD）原位沉积。 在一个实施例中，衬垫包括钛，而阻挡层包括氮化钛。