公开(公告)号：US20050012984A1

公开(公告)日：2005-01-20

申请号：US10606637

申请日：2003-06-25

申请人： Balaji Venkateshwaran ,  Mark McDonald

发明人： Balaji Venkateshwaran ,  Mark McDonald

IPC分类号： G02F1/01 ,  G02F1/21 ,  H01S3/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/14

CPC分类号： H01S5/141 ,  G02F1/0147 ,  G02F1/218 ,  H01S5/028

摘要： In embodiments of the invention, a wavelength-selective device is doped with n-type or p-type material to make the single-crystal silicon in the active region of the device electrically conductive. An electrically conductive and thermally conductive active region allows an external heater such as a platinum heater strip to be eliminated and current to be applied directly to the single-crystal silicon to thermally tune the laser.

摘要翻译： 在本发明的实施例中，波长选择性器件掺杂有n型或p型材料，以使器件的有源区中的单晶硅导电。 导电和导热的有源区域允许消除诸如铂加热器条的外部加热器，并将电流直接施加到单晶硅以热激发激光。