公开(公告)号：US4366334A

公开(公告)日：1982-12-28

申请号：US229524

申请日：1981-01-29

申请人： Baudouin de Cremoux ,  Pierre Poulain ,  Nicole Sol

发明人： Baudouin de Cremoux ,  Pierre Poulain ,  Nicole Sol

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/07 ,  H01L31/06

CPC分类号： H01L31/0735 ,  H01L31/07 ,  Y02E10/544

摘要： The invention relates to a low cost photovoltaic cell, using a minimum thickness layer of semiconductor compounds able to provide the photovoltaic effect and specifically in polycrystalline form. On a molybdenum sheet an auxiliary polycrystalline germanium layer is deposited in order to facilitate subsequent depositions. This is followed by an intermediate polycrystalline layer of gallium aluminum arsenide and an active layer of polycrystalline gallium arsenide. The presence of the intermediate layer with a wider forbidden band than that of the active layer compensates the effect on the efficiency of the limited thickness of the active layer.

摘要翻译： 本发明涉及一种低成本的光伏电池，其使用能够提供光伏效应并且特别是多晶形式的半导体化合物的最小厚度层。 在钼片上，沉积辅助多晶锗层以便于随后的沉积。 其后是砷化镓铝的中间多晶层和多晶砷化镓的活性层。 具有比有源层更宽的禁带的中间层的存在补偿了有源层的有限厚度的效率的影响。

公开(公告)号：US4321420A

公开(公告)日：1982-03-23

申请号：US173431

申请日：1980-07-29

申请人： Daniel Kaplan ,  Nicole Sol ,  Pierre Landouar

发明人： Daniel Kaplan ,  Nicole Sol ,  Pierre Landouar

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/20 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： Process for producing layers of silicon or one of its alloys in pure or doped form and able to absorb optical radiation, the layers being of limited thickness, it comprising a first stage of depositing the layer by chemical decomposition of a gaseous mixture containing silane at a temperature close to the crystallization temperature and a second stage of treating in a hydrogen plasma at a lower temperature.

摘要翻译： 用于以纯或掺杂形式生产硅或其合金之一并且能够吸收光辐射的方法，所述层具有有限的厚度，其包括通过在含有硅烷的气体混合物的化学分解沉积该层的第一阶段 接近结晶温度的温度和在较低温度下在氢等离子体中处理的第二阶段。