公开(公告)号：US06838695B2

公开(公告)日：2005-01-04

申请号：US10304163

申请日：2002-11-25

申请人： Bruce B. Doris ,  Ashima B. Chakravarti ,  Kevin K. Chan ,  Daniel A. Uriarte

发明人： Bruce B. Doris ,  Ashima B. Chakravarti ,  Kevin K. Chan ,  Daniel A. Uriarte

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L29/4925 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/823842

摘要： A semiconductor device structure includes a substrate, a dielectric layer disposed on the substrate, first and second stacks disposed on the dielectric layer. The first stack includes a first silicon layer disposed on the dielectric layer, a silicon germanium layer disposed on the first silicon layer, a second silicon layer disposed on the silicon germanium layer, and a third silicon layer disposed on the second silicon layer. The second stack includes a first silicon layer disposed on the dielectric layer, and a second silicon layer disposed on the first silicon layer. Alternatively, the silicon germanium layer includes Boron.

摘要翻译： 半导体器件结构包括衬底，设置在衬底上的电介质层，设置在电介质层上的第一和第二堆叠。 第一堆叠包括设置在电介质层上的第一硅层，设置在第一硅层上的硅锗层，设置在硅锗层上的第二硅层和设置在第二硅层上的第三硅层。 第二堆叠包括布置在电介质层上的第一硅层和设置在第一硅层上的第二硅层。 或者，硅锗层包括硼。