公开(公告)号：US4536945A

公开(公告)日：1985-08-27

申请号：US601195

申请日：1984-04-17

申请人： Bruce Gray ,  Kasivisvanatha Soundaranathan ,  Franklin D. VanGieson

发明人： Bruce Gray ,  Kasivisvanatha Soundaranathan ,  Franklin D. VanGieson

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/331 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/06 ,  H01L27/082 ,  H01L29/47 ,  H01L29/73 ,  H01L29/732 ,  H01L29/872 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/76216

摘要： A process is disclosed for making CMOS transistors in combination with self-aligned fully oxide isolated Schottky clamped bipolar transistors.

摘要翻译： 公开了一种制造CMOS晶体管与自对准全氧化物隔离肖特基钳位双极晶体管的方法。