公开(公告)号：US20080318086A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US11765256

申请日：2007-06-19

申请人： Byong Man Kim ,  Donald Edward Adams ,  Brett Eldon Huff ,  Yevgeny V. Anoikin ,  Robert N. Stark

发明人： Byong Man Kim ,  Donald Edward Adams ,  Brett Eldon Huff ,  Yevgeny V. Anoikin ,  Robert N. Stark

IPC分类号： G11B5/66

CPC分类号： G11B9/02 ,  B82Y10/00 ,  G01Q80/00 ,  G11B9/1436

摘要： A system for storing information comprises a media including a ferroelectric layer and a passivation layer formed over the ferroelectric layer, and a tip arranged in approximate contact with the passivation layer. The tip detects a polarization signal that corresponds to changes in polarization of domains of the ferroelectric layer.

摘要翻译： 用于存储信息的系统包括介质，该介质包括在铁电层上形成的铁电层和钝化层，以及与钝化层大致接触的尖端。 尖端检测对应于铁电层的畴极化变化的偏振信号。

公开(公告)号：US07626846B2

公开(公告)日：2009-12-01

申请号：US11778571

申请日：2007-07-16

申请人： Valluri Ramana Rao ,  Li-Peng Wang ,  Qing Ma ,  Byong Man Kim

发明人： Valluri Ramana Rao ,  Li-Peng Wang ,  Qing Ma ,  Byong Man Kim

IPC分类号： G11C11/22

CPC分类号： G11B9/02 ,  Y10S977/947

摘要： A media for an information storage device includes a substrate of single-crystal silicon, a buffer layer of an epitaxial single crystal insulator formed over the substrate, a bottom electrode layer of an epitaxial single crystal conductor formed over the buffer layer, a ferroelectric layer of an epitaxial single crystal ferroelectric material formed over the bottom electrode layer, and an overlayer of an epitaxial single crystal material formed over the ferroelectric layer. Dipole charges generally having a first orientation exist at an interface between the bottom electrode layer and the ferroelectric layer includes, while dipole charges generally having a second orientation opposite the first orientation exist at an interface between the ferroelectric layer and the overlayer includes.

摘要翻译： 用于信息存储装置的介质包括单晶硅衬底，在衬底上形成的外延单晶绝缘体的缓冲层，形成在缓冲层上的外延单晶导体的底电极层，形成在缓冲层上的铁电层 形成在底部电极层上的外延单晶铁电材料，以及形成在铁电体层上的外延单晶材料的覆层。 通常具有第一取向的偶极电荷存在于底电极层和铁电层之间的界面处，其中通常具有与第一取向相反的第二取向的偶极电荷存在于铁电层和覆层之间的界面处。

公开(公告)号：US07964159B2

公开(公告)日：2011-06-21

申请号：US11177111

申请日：2005-07-08

申请人： Haim H. Bau ,  Byong Man Kim ,  Michael A. Riegelman ,  Yury Gogotsi

发明人： Haim H. Bau ,  Byong Man Kim ,  Michael A. Riegelman ,  Yury Gogotsi

IPC分类号： G01N21/01 ,  G01N21/75 ,  G01N33/48

CPC分类号： G01N33/54373 ,  B82Y15/00 ,  B82Y20/00 ,  G02B21/34 ,  Y10S977/92 ,  Y10S977/924

摘要： Described herein are novel devices for the study of transport characteristics of complex or simple fluids, interactions among molecules in suspension, interactions between molecules in suspension and wall-bound molecules, and biochemical sensing devices made of reservoirs for fluid containment linked by a nanotubes. Also disclosed are methods of delivering medicaments and monitoring fluidic interactions of molecules or analytes.

摘要翻译： 本文描述了用于研究复杂或简单流体的运输特性，悬浮分子之间的相互作用，悬浮液中的分子与壁结合分子之间的相互作用以及由用于通过纳米管连接的用于流体容纳的储存器的生化传感装置的新型装置。 还公开了递送药物和监测分子或分析物的流体相互作用的方法。

公开(公告)号：US20090021975A1

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：US11778571

申请日：2007-07-16

申请人： Valluri Ramana Rao ,  Li-Peng Wang ,  Qing Ma ,  Byong Man Kim

发明人： Valluri Ramana Rao ,  Li-Peng Wang ,  Qing Ma ,  Byong Man Kim

IPC分类号： G11C11/12 ,  B32B15/04 ,  H01L21/62

CPC分类号： G11B9/02 ,  Y10S977/947

摘要： A media for an information storage device comprises a substrate of single-crystal silicon, a buffer layer of an epitaxial single crystal insulator formed over the substrate, a bottom electrode layer of an epitaxial single crystal conductor formed over the buffer layer, a ferroelectric layer of an epitaxial single crystal ferroelectric material formed over the bottom electrode layer, and an overlayer of an epitaxial single crystal material formed over the ferroelectric layer. Dipole charges generally having a first orientation exist at an interface between the bottom electrode layer and the ferroelectric layer includes, while dipole charges generally having a second orientation opposite the first orientation exist at an interface between the ferroelectric layer and the overlayer includes.

摘要翻译： 用于信息存储装置的介质包括单晶硅衬底，形成在衬底上的外延单晶绝缘体的缓冲层，形成在缓冲层上的外延单晶导体的底电极层，形成在缓冲层上的铁电层 形成在底部电极层上的外延单晶铁电材料，以及形成在铁电体层上的外延单晶材料的覆层。 通常具有第一取向的偶极电荷存在于底电极层和铁电层之间的界面处，其中通常具有与第一取向相反的第二取向的偶极电荷存在于铁电层和覆层之间的界面处。

公开(公告)号：US20080174918A1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：US11625221

申请日：2007-01-19

申请人： Byong Man Kim

发明人： Byong Man Kim

IPC分类号： G11B5/54

CPC分类号： G11B9/08 ,  G11B11/08

摘要： An embodiment of a system for storing information in accordance with the present invention comprises a media including a barrier layer, an isolation layer and a trapping layer disposed between the barrier layer and the isolation layer; and a tip adapted to inject a charge through the barrier layer and into the trapping layer.

摘要翻译： 根据本发明的用于存储信息的系统的实施例包括：介质，其包括阻挡层，隔离层和设置在阻挡层和隔离层之间的捕获层; 以及适于将电荷注入阻挡层并进入捕获层的尖端。