公开(公告)号：US5821134A

公开(公告)日：1998-10-13

申请号：US882309

申请日：1997-06-25

申请人： Byung-Kwon Kang ,  Jung-Koo Kang ,  You-Ri Jo ,  Jong-Deog Kim ,  Seung-Jo Jeong ,  Young-kun Sin

发明人： Byung-Kwon Kang ,  Jung-Koo Kang ,  You-Ri Jo ,  Jong-Deog Kim ,  Seung-Jo Jeong ,  Young-kun Sin

IPC分类号： G02F1/025 ,  H01L21/306 ,  H01L21/00

CPC分类号： G02F1/025 ,  Y10S438/955

摘要： Disclosed is a method of producing an electron-absorption modulator having a reverse mesa structure. In the electron-absorption modulator, a first clad of a first conductivity type, an active layer of the first conductivity type, a second clad layer of a second conductivity type and an ohmic contact layer of the second conductivity type are formed on a semiconductor substrate of the first conductivity type. Then, a predetermined mask pattern is formed on the ohmic contact layer. Afterwards, the ohmic contact layer is etched by using the mask pattern. Then, the second clad layer and the active layer below the ohmic contact layer are etched in the form of the reverse mesa structure to expose the first clad layer. Then, the first clad layer is etched at a predetermined depth in the form of a mesa structure.

摘要翻译： 公开了一种具有逆台面结构的电子吸收调制器的制造方法。 在电子吸收调制器中，在半导体衬底上形成第一导电类型的第一包层，第一导电类型的有源层，第二导电类型的第二覆盖层和第二导电类型的欧姆接触层 的第一导电类型。 然后，在欧姆接触层上形成预定的掩模图案。 之后，通过使用掩模图案来蚀刻欧姆接触层。 然后，第二覆盖层和欧姆接触层下方的有源层以反面台面结构的形式被蚀刻以暴露第一覆层。 然后，以台面结构的形式在预定深度处蚀刻第一覆盖层。