公开(公告)号：US07638442B2

公开(公告)日：2009-12-29

申请号：US12149906

申请日：2008-05-09

申请人： Cheng-Ta Wu ,  Da-Yu Chuang ,  Yen-Da Chen ,  Lihan Lin

发明人： Cheng-Ta Wu ,  Da-Yu Chuang ,  Yen-Da Chen ,  Lihan Lin

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/28202 ,  H01L21/28185

摘要： A process for forming a silicon nitride layer on a gate oxide film as part of formation of a gate structure in a semiconductor device includes: forming a layer of silicon nitride on top of a gate oxide film on a semiconductor substrate by a nitridation process, heating the semiconductor substrate in an annealing chamber, exposing the semiconductor substrate to N2 in the annealing chamber, and exposing the semiconductor substrate to a mixture of N2 and N2O in the annealing chamber.

摘要翻译： 在半导体器件中形成栅极结构的一部分，在栅极氧化膜上形成氮化硅层的工艺包括：通过氮化工艺在半导体衬底上的栅极氧化膜的顶部上形成氮化硅层，加热 在退火室中的半导体衬底，将半导体衬底暴露于退火室中的N2，并将半导体衬底暴露于退火室中的N 2和N 2 O的混合物。

公开(公告)号：US20090280654A1

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：US12149906

申请日：2008-05-09

申请人： Cheng-Ta Wu ,  Da-Yu Chuang ,  Yen-Da Chen ,  Lihan Lin

发明人： Cheng-Ta Wu ,  Da-Yu Chuang ,  Yen-Da Chen ,  Lihan Lin

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/28202 ,  H01L21/28185

摘要： A process for forming a silicon nitride layer on a gate oxide film as part of formation of a gate structure in a semiconductor device includes: forming a layer of silicon nitride on top of a gate oxide film on a semiconductor substrate by a nitridation process, heating the semiconductor substrate in an annealing chamber, exposing the semiconductor substrate to N2 in the annealing chamber, and exposing the semiconductor substrate to a mixture of N2 and N2O in the annealing chamber.

摘要翻译： 在半导体器件中形成栅极结构的一部分，在栅极氧化膜上形成氮化硅层的工艺包括：通过氮化工艺在半导体衬底上的栅极氧化膜的顶部上形成氮化硅层，加热 在退火室中的半导体衬底，将半导体衬底暴露于退火室中的N2，并将半导体衬底暴露于退火室中的N 2和N 2 O的混合物。