公开(公告)号：US20110048522A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12610370

申请日：2009-11-02

申请人： Chia-Chih Chuang ,  Jhe-Wei Guo ,  Tung-Po Hsieh

发明人： Chia-Chih Chuang ,  Jhe-Wei Guo ,  Tung-Po Hsieh

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

摘要： The invention provides a solar cell. The solar cell has the following structures: a substrate; a first electrode formed on the substrate; a light absorbing layer formed on the first electrode, wherein the light absorbing layer includes a first compound thin film and a second compound thin film, and a band gap of the second compound thin film is larger than that of the first compound thin film; a buffer layer formed on the light absorbing layer; a transparent conducting layer formed on the buffer layer; and a second electrode formed on the transparent conducting layer.

摘要翻译： 本发明提供一种太阳能电池。 太阳能电池具有以下结构：基板; 形成在所述基板上的第一电极; 形成在所述第一电极上的光吸收层，其中所述光吸收层包括第一化合物薄膜和第二化合物薄膜，并且所述第二化合物薄膜的带隙大于所述第一化合物薄膜的带隙; 形成在所述光吸收层上的缓冲层; 形成在缓冲层上的透明导电层; 以及形成在所述透明导电层上的第二电极。

公开(公告)号：US20100297835A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12567762

申请日：2009-09-26

申请人： Chia-Chih Chuang ,  Jhe-Wei Guo ,  Yu Huang

发明人： Chia-Chih Chuang ,  Jhe-Wei Guo ,  Yu Huang

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/02491 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541

摘要： A method for fabricating a copper-indium-gallium-diselenide (CIGS) compound thin film is provided. In this method, a substrate is first provided. An adhesive layer is formed over the substrate. A metal electrode layer is formed over the adhesive layer. A precursor stacked layer is formed over the metal electrode layer, wherein the precursor stacked layer includes a plurality of copper-gallium (CuGa) alloy layers and at least one copper-indium (CuIn) alloy layer sandwiched between the plurality of CuGa alloy layers. An annealing process is performed to convert the precursor stacked layer into a copper-indium-gallium (CuInGa) alloy layer. A selenization process is performed to convert the CuInGa alloy layer into a copper-indium-gallium-diselenide (CuInGaSe) compound thin film.

摘要翻译： 提供了一种制造铜 - 镓 - 二硒化铜（CIGS）复合薄膜的方法。 在该方法中，首先提供基板。 在衬底上形成粘合剂层。 在粘合剂层上形成金属电极层。 在金属电极层上方形成前体层叠层，其中前体堆叠层包括夹在多个CuGa合金层之间的多个铜 - 镓（CuGa）合金层和至少一个铜 - 铟（CuIn）合金层。 进行退火处理以将前体堆叠层转换成铜铟镓（CuInGa）合金层。 进行硒化处理以将CuInGa合金层转化为铜铟镓二硒化物（CuInGaSe）复合薄膜。