公开(公告)号：US20090258255A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：US12083895

申请日：2006-05-29

申请人： Chiaki Terashima ,  Kazuki Arihara ,  Akira Fujishima

发明人： Chiaki Terashima ,  Kazuki Arihara ,  Akira Fujishima

IPC分类号： H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/96 ,  C25B11/12 ,  H01M4/58

CPC分类号： H01M4/133 ,  C30B29/04 ,  C30B33/12 ,  H01M4/583 ,  H01M4/625 ,  H01M4/96 ,  Y10T428/24355

摘要： A method for producing a diamond having an acicular projection array structure on a surface thereof comprises the step of forming the acicular projection array structure on a surface of a diamond base material by treating the surface of the diamond base material by dry etching using oxygen gas. At least one dopant selected among boron (B), nitrogen (N), aluminum (Al), silicon (Si), phosphorus (P), sulfur (S), copper (Cu), arsenic (As), molybdenum (Mo), platinum (Pt) and gold (Au) is doped with a concentration of 1×1019 atoms/cm3 and more at least in a region near the surface of the diamond base material.

摘要翻译： 用于制造其表面上具有针状突起阵列结构的金刚石的方法包括通过使用氧气干蚀刻处理金刚石基材的表面，在金刚石基材的表面上形成针状突起阵列结构的步骤。 从硼（B），氮（N），铝（Al），硅（Si），磷（P），硫（S），铜（Cu），砷（As），钼（Mo） ，铂（Pt）和金（Au）以1×10 19原子/ cm 3的浓度掺杂，并且至少在金刚石基材表面附近的区域中更多。