公开(公告)号：US07866364B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US11413333

申请日：2006-04-28

申请人： Chien-Hua Chen ,  Troy D. Schwinabart ,  William M. Atkinson

发明人： Chien-Hua Chen ,  Troy D. Schwinabart ,  William M. Atkinson

IPC分类号： G02B6/00

CPC分类号： H01L21/67092

摘要： A fabrication tool presses a first device surface against a second device surface after the first and the second device surfaces have been plasma activated, to bond the first device surface with the second device surface. The fabrication tool includes a bonding piston to exert force on the first device surface to press the first device surface against the second device surface. The fabrication tool also includes a pressure plate situated between the bonding piston and the first device surface. The fabrication tool further includes a mechanism to ensure that the force exerted by the bonding piston on the first device surface via the pressure plate is initially exerted at one or more first locations on the first device surface and subsequently exerted at one or more second locations on the first device surface.

摘要翻译： 在第一和第二装置表面已被等离子体激活之后，制造工具将第一装置表面压靠第二装置表面，以将第一装置表面与第二装置表面结合。 制造工具包括粘合活塞，以在第一装置表面施加力以将第一装置表面压靠第二装置表面。 制造工具还包括位于接合活塞和第一装置表面之间的压力板。 制造工具还包括机构，以确保由第一装置表面经由压板施加的结合活塞的力最初施加在第一装置表面上的一个或多个第一位置上，随后在一个或多个第二位置上施加 第一个设备表面。

公开(公告)号：US07442576B2

公开(公告)日：2008-10-28

申请号：US11276875

申请日：2006-03-17

申请人： Chien-Hua Chen ,  David M. Crald ,  Troy D. Schwinabart

发明人： Chien-Hua Chen ,  David M. Crald ,  Troy D. Schwinabart

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/26 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/00014

摘要： A semiconductor device is provided that includes a hermetically sealed housing having a top member and a bottom member. A semiconductor die is enclosed within the housing and absorbing material is positioned under the semiconductor die.

摘要翻译： 提供一种半导体器件，其包括具有顶部构件和底部构件的气密密封的壳体。 将半导体管芯封装在壳体内，并且吸收材料位于半导体管芯下方。

公开(公告)号：US07045885B1

公开(公告)日：2006-05-16

申请号：US11008542

申请日：2004-12-09

申请人： Chien-Hua Chen ,  David M. Craid ,  Troy D. Schwinabart

发明人： Chien-Hua Chen ,  David M. Craid ,  Troy D. Schwinabart

IPC分类号： H01L23/02 ,  H01L23/20

CPC分类号： H01L23/26 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/00014

摘要： A semiconductor device includes a hermetically sealed housing having a top member and a bottom member. The bottom member includes a recess. A semiconductor die is enclosed within the housing. Absorbing material is positioned in the recess under the semiconductor die. A porous film is positioned between the semiconductor die and the absorbing material.

摘要翻译： 半导体器件包括具有顶部构件和底部构件的气密密封的壳体。 底部构件包括凹部。 半导体管芯封装在外壳内。 吸收材料位于半导体管芯下方的凹槽中。 多孔膜位于半导体管芯和吸收材料之间。