公开(公告)号：US20140159048A1

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：US13898374

申请日：2013-05-20

申请人： Chih-Fang Huang ,  Po-Chin Peng ,  Tsung-Chieh Hsiao ,  Ya-Hsien Liu ,  K.C. Chang ,  Hung-Der Su ,  Chien-Wei Chiu ,  Tsung-Yi Huang ,  Tsung-Yu Yang ,  Ting-Fu Chang

发明人： Chih-Fang Huang ,  Po-Chin Peng ,  Tsung-Chieh Hsiao ,  Ya-Hsien Liu ,  K.C. Chang ,  Hung-Der Su ,  Chien-Wei Chiu ,  Tsung-Yi Huang ,  Tsung-Yu Yang ,  Ting-Fu Chang

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/7789

摘要： The present invention discloses a high electron mobility transistor (HEMT) and a manufacturing method thereof. The HEMT device includes: a substrate, a first gallium nitride (GaN) layer; a P-type GaN layer, a second GaN layer, a barrier layer, a gate, a source, and a drain. The first GaN layer is formed on the substrate, and has a stepped contour from a cross-section view. The P-type GaN layer is formed on an upper step surface of the stepped contour, and has a vertical sidewall. The second GaN layer is formed on the P-type GaN layer. The barrier layer is formed on the second GaN layer. two dimensional electron gas regions are formed at junctions between the barrier layer and the first and second GaN layers. The gate is formed on an outer side of the vertical sidewall.

摘要翻译： 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管（HEMT）及其制造方法。 HEMT器件包括：衬底，第一氮化镓（GaN）层; P型GaN层，第二GaN层，势垒层，栅极，源极和漏极。 第一GaN层形成在基板上，并且具有从横截面视图的阶梯状轮廓。 P型GaN层形成在阶梯状轮廓的上台阶面上，具有垂直侧壁。 第二GaN层形成在P型GaN层上。 阻挡层形成在第二GaN层上。 在阻挡层与第一和第二GaN层之间的接合处形成二维电子气体区域。 门形成在垂直侧壁的外侧。