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    High performance PFET header in hybrid orientation technology for leakage reduction in digital CMOS VLSI designs
    1.
    发明授权
    High performance PFET header in hybrid orientation technology for leakage reduction in digital CMOS VLSI designs 失效
    用于混合定向技术的高性能PFET接头，用于数字CMOS VLSI设计中的漏电减少

    公开(公告)号：US07274217B2

    公开(公告)日：2007-09-25

    申请号：US11100883

    申请日：2005-04-07

    申请人： Ching-Te Kent Chuang ,  Koushik Kumar Das ,  Shih-Hsien Lo

    发明人： Ching-Te Kent Chuang ,  Koushik Kumar Das ,  Shih-Hsien Lo

    IPC分类号： H01L23/62 ,  H03K19/094

    CPC分类号： H03K19/0016 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

    摘要： Discloses are CMOS circuit designs that combine MTCMOS and hybrid orientation technology to achieve the dual objectives of high performance and low standby leakage power. The invention utilizes novel combinations of a thick-oxide high-VTH PFET header with various gate- and body-biased schemes in HOT technology to significantly reduce the performance penalty associated with conventional PFET headers. A first embodiment of the invention provides a HOT-B high-VTH thick oxide bulk PFET header scheme. This header scheme can be expanded by application of a positive gate bias VPOS (VPOS>VDD) to the HOT-B PFET header during standby mode and a negative gate bias VNEG (VNEG

    摘要翻译： 公开了结合MTCMOS和混合定向技术的CMOS电路设计，以实现高性能和低待机泄漏功率的双重目标。 本发明利用HOT技术中的厚氧化物高VTH PFET集线器的新型组合与各种栅极和体偏置方案，以显着降低与常规PFET集管相关的性能损失。 本发明的第一实施例提供了一种HOT-B高VTH厚氧化物体PFET头方案。 可以通过在待机模式期间将正栅极偏置VPOS（VPOS> VDD）施加到HOT-B PFET头并且在活动模式下使用负栅极偏置VNEG（VNEG