公开(公告)号：US07483560B2

公开(公告)日：2009-01-27

申请号：US10679290

申请日：2003-10-07

申请人： Chle Shishido ,  Ryo Nakagaki ,  Maki Tanaka ,  Kenji Watanabe ,  Yuya Toyoshima

发明人： Chle Shishido ,  Ryo Nakagaki ,  Maki Tanaka ,  Kenji Watanabe ,  Yuya Toyoshima

IPC分类号： G06K9/00

CPC分类号： H01L22/34 ,  G01N21/956 ,  G06T7/0004 ,  G06T2207/30148 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In a method of measuring a three dimensional shape of an arbitrary fine pattern on a semiconductor device, an optical measurement system carries out a measurement to obtain cross-section information, and an electron microscope obtains an electron beam image of the arbitrary fine pattern. Plane information and cross-section information obtained from the electron beam image of the arbitrary fine pattern are combined to measure the three dimensional shape of the arbitrary fine pattern.

摘要翻译： 在半导体装置中测定任意精细图案的三维形状的方法中，光学测量系统进行测量以获得横截面信息，并且电子显微镜获得任意精细图案的电子束图像。 从任意精细图案的电子束图像获得的平面信息和横截面信息被组合以测量任意精细图案的三维形状。

公开(公告)号：US20050100205A1

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：US10679290

申请日：2003-10-07

申请人： Chle Shishido ,  Ryo Nakagaki ,  Maki Tanaka ,  Kenji Watanabe ,  Yuya Toyoshima

发明人： Chle Shishido ,  Ryo Nakagaki ,  Maki Tanaka ,  Kenji Watanabe ,  Yuya Toyoshima

IPC分类号： G01B15/00 ,  G01N21/956 ,  G06K9/00 ,  G06T7/00 ,  H01J37/22 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L22/34 ,  G01N21/956 ,  G06T7/0004 ,  G06T2207/30148 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In a method of measuring a three dimensional shape of an arbitrary fine pattern on a semiconductor device, an optical measurement system carries out a measurement to obtain cross-section information, and an electron microscope obtains an electron beam image of the arbitrary fine pattern. Plane information and cross-section information obtained from the electron beam image of the arbitrary fine pattern are combined to measure the three dimensional shape of the arbitrary fine pattern.

摘要翻译： 在半导体装置中测定任意精细图案的三维形状的方法中，光学测量系统进行测量以获得横截面信息，并且电子显微镜获得任意精细图案的电子束图像。 从任意精细图案的电子束图像获得的平面信息和横截面信息被组合以测量任意精细图案的三维形状。