公开(公告)号：US08907422B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US13951644

申请日：2013-07-26

申请人： DENSO CORPORATION

发明人： Syunsuke Harada ,  Takashi Nakano ,  Takuya Okuno

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0878 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/404 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7824

摘要： A semiconductor device includes: a semiconductor substrate including a first semiconductor layer on the semiconductor substrate; multiple semiconductor elements in the semiconductor substrate; and an ineffective region. Each semiconductor element includes: a second semiconductor layer in a surface portion of the first semiconductor layer; a third semiconductor layer disposed in another surface portion of the first semiconductor layer and spaced a part from the second semiconductor layer; and a control layer disposed on a portion of the first semiconductor layer between the second semiconductor layer and the third semiconductor layer. The ineffective region is disposed in the semiconductor substrate between at least two adjacent semiconductor elements; and does not provide a function of the semiconductor elements.

摘要翻译： 半导体器件包括：半导体衬底，其包括半导体衬底上的第一半导体层; 半导体衬底中的多个半导体元件; 和一个无效的地区。 每个半导体元件包括：第一半导体层的表面部分中的第二半导体层; 第三半导体层，设置在所述第一半导体层的另一表面部分中，并与所述第二半导体层间隔一部分; 以及控制层，设置在第二半导体层和第三半导体层之间的第一半导体层的一部分上。 无效区域设置在半导体衬底中的至少两个相邻的半导体元件之间; 并且不提供半导体元件的功能。