公开(公告)号：US20110193174A1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：US12704296

申请日：2010-02-11

申请人： Der-Chyang Yeh ,  Hsing-Kuo Hsia ,  Hao-Hsun Lin ,  Chih-Ping Chao ,  Chin-Hao Su ,  Hsi-Kuei Cheng

发明人： Der-Chyang Yeh ,  Hsing-Kuo Hsia ,  Hao-Hsun Lin ,  Chih-Ping Chao ,  Chin-Hao Su ,  Hsi-Kuei Cheng

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/8249

CPC分类号： H01L27/0623 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/45

摘要： A structure and method for providing a multiple silicide integration is provided. An embodiment comprises forming a first transistor and a second transistor on a substrate. The first transistor is masked and a first silicide region is formed on the second transistor. The second transistor is then masked and a second silicide region is formed on the first transistor, thereby allowing for device specific silicide regions to be formed on the separate devices.

摘要翻译： 提供了一种提供多重硅化物整合的结构和方法。 一个实施例包括在衬底上形成第一晶体管和第二晶体管。 第一晶体管被掩蔽，并且在第二晶体管上形成第一硅化物区。 然后对第二晶体管进行掩模，并且在第一晶体管上形成第二硅化物区域，从而允许在独立器件上形成器件特定的硅化物区域。

公开(公告)号：US08993393B2

公开(公告)日：2015-03-31

申请号：US12704296

申请日：2010-02-11

申请人： Der-Chyang Yeh ,  Hsing-Kuo Hsia ,  Hao-Hsun Lin ,  Chih-Ping Chao ,  Chin-Hao Su ,  Hsi-Kuei Cheng

发明人： Der-Chyang Yeh ,  Hsing-Kuo Hsia ,  Hao-Hsun Lin ,  Chih-Ping Chao ,  Chin-Hao Su ,  Hsi-Kuei Cheng

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/285 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L27/0623 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/45

摘要： A structure and method for providing a multiple silicide integration is provided. An embodiment comprises forming a first transistor and a second transistor on a substrate. The first transistor is masked and a first silicide region is formed on the second transistor. The second transistor is then masked and a second silicide region is formed on the first transistor, thereby allowing for device specific silicide regions to be formed on the separate devices.

摘要翻译： 提供了一种提供多重硅化物整合的结构和方法。 一个实施例包括在衬底上形成第一晶体管和第二晶体管。 第一晶体管被掩蔽，并且在第二晶体管上形成第一硅化物区。 然后对第二晶体管进行掩模，并且在第一晶体管上形成第二硅化物区域，从而允许在独立器件上形成器件特定的硅化物区域。