公开(公告)号：US20070059911A1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：US11226826

申请日：2005-09-14

申请人： Dharmesh Jawarani ,  John Alvis ,  Michael Harrison ,  Leo Mathew ,  John Moore ,  Rode Mora

发明人： Dharmesh Jawarani ,  John Alvis ,  Michael Harrison ,  Leo Mathew ,  John Moore ,  Rode Mora

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/2855

摘要： A semiconductor fabrication process includes forming a gate electrode (112) overlying a gate dielectric (114) overlying a semiconductor substrate (104) of a wafer (101) and a liner dielectric layer (116) including vertical portions (118) adjacent sidewalls of the gate electrode and horizontal portions (117) overlying an upper surface of the semiconductor substrate (104). A spacer (108) is formed adjacent a vertical portion (118) and overlying a horizontal portion (117) of the liner dielectric layer (116). After forming the spacer (108), exposed portions of the liner dielectric layer (116) are removed to form a liner dielectric structure (126) covered by the extension spacer (108). The extension spacer (108) is then etched back to expose or uncover extremities of the liner dielectric structure (126). Prior to etching back the spacer (108), a metal (130) may be sputtered deposited over the wafer (101) preparatory to forming a silicide (134). After the etch back the wafer (101) may be dipped in piranha solution and cleaned with an RF sputter (140) of argon.

摘要翻译： 半导体制造工艺包括形成覆盖在晶片（101）的半导体衬底（104）上的栅极电介质（114）上的栅电极（112）和包括垂直部分（118）的衬垫电介质层（116） 栅电极和覆盖在半导体衬底（104）的上表面上的水平部分（117）。 邻近垂直部分（118）并且覆盖衬里介电层（116）的水平部分（117）形成间隔物（108）。 在形成间隔物（108）之后，去除衬里电介质层（116）的暴露部分以形成被延伸间隔物（108）覆盖的衬里电介质结构（126）。 然后将延伸垫片（108）回蚀刻以露出或揭开衬垫介质结构（126）的四肢。 在蚀刻回间隔物（108）之前，金属（130）可以溅射沉积在晶片（101）上，准备形成硅化物（134）。 在蚀刻之后，晶片（101）可以浸入食人鱼溶液中并用氩气的RF溅射（140）清洁。