公开(公告)号：US20080160757A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：US11986530

申请日：2007-11-20

申请人： Jaewon Han ,  Dong Ki Jeon

发明人： Jaewon Han ,  Dong Ki Jeon

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/304

摘要： A semiconductor device fabricating method may include forming an insulating layer on a semiconductor substrate; forming a through hole with a first depth in the insulating layer and the semiconductor substrate; forming a metal layer thereon, thereby forming a through electrode in the through hole; and exposing the through electrode by polishing the bottom surface of the semiconductor substrate.

摘要翻译： 半导体器件制造方法可以包括在半导体衬底上形成绝缘层; 在绝缘层和半导体衬底中形成具有第一深度的通孔; 在其上形成金属层，从而在通孔中形成通孔; 以及通过抛光所述半导体衬底的底表面来暴露所述通电极。

公开(公告)号：US07666762B2

公开(公告)日：2010-02-23

申请号：US11863442

申请日：2007-09-28

申请人： Dong Ki Jeon ,  Han Choon Lee

发明人： Dong Ki Jeon ,  Han Choon Lee

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28052 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A method for fabricating a semiconductor device is provided. A nickel layer is deposited on a semiconductor substrate and plasma-processed. Rapid thermal processing is performed on the plasma-processed nickel layer to form a nickel silicide layer. The portion of the nickel layer that has not reacted with silicon is then removed.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法。 将镍层沉积在半导体衬底上并进行等离子体处理。 在等离子体处理的镍层上进行快速热处理以形成硅化镍层。 然后除去未与硅反应的镍层的部分。

公开(公告)号：US07851341B2

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：US11844016

申请日：2007-08-23

申请人： Dong Ki Jeon

发明人： Dong Ki Jeon

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L29/78

摘要： A semiconductor device is provided including a transistor element on a substrate, a silicide on a gate and a source/drain of the transistor element; and an amorphous capping layer on the silicide.

摘要翻译： 提供一种半导体器件，其包括在衬底上的晶体管元件，栅极上的硅化物和晶体管元件的源极/漏极; 和硅化物上的非晶覆盖层。

公开(公告)号：US07709381B2

公开(公告)日：2010-05-04

申请号：US11986530

申请日：2007-11-20

申请人： Jaewon Han ,  Dong Ki Jeon

发明人： Jaewon Han ,  Dong Ki Jeon

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/304

摘要： A semiconductor device fabricating method may include forming an insulating layer on a semiconductor substrate; forming a through hole with a first depth in the insulating layer and the semiconductor substrate; forming a metal layer thereon, thereby forming a through electrode in the through hole; and exposing the through electrode by polishing the bottom surface of the semiconductor substrate.

摘要翻译： 半导体器件制造方法可以包括在半导体衬底上形成绝缘层; 在绝缘层和半导体衬底中形成具有第一深度的通孔; 在其上形成金属层，从而在通孔中形成通孔; 以及通过抛光所述半导体衬底的底表面来暴露所述通电极。

公开(公告)号：US07601633B2

公开(公告)日：2009-10-13

申请号：US11924387

申请日：2007-10-25

申请人： Dong Ki Jeon

发明人： Dong Ki Jeon

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/53276 ,  H01L21/76841 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device and fabricating method thereof are provided. A carbon interconnection line can be formed on an interlayer insulating layer such that the carbon interconnection line is electrically connected to a conductive metal layer disposed in a contact hole of the semiconductor device.

摘要翻译： 提供了一种半导体器件及其制造方法。 碳互连线可以形成在层间绝缘层上，使得碳互连线电连接到设置在半导体器件的接触孔中的导电金属层。