公开(公告)号：US08026520B2

公开(公告)日：2011-09-27

申请号：US12393473

申请日：2009-02-26

申请人： Dong-kyu Lee ,  Mu-hyun Kim

发明人： Dong-kyu Lee ,  Mu-hyun Kim

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/78603 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5253

摘要： A thin film transistor (TFT), a method of fabricating the same, and an organic light emitting diode (OLED) display device having the TFT, the TFT includes a substrate, a protection layer disposed on the substrate, a buffer layer disposed on the protection layer, a semiconductor layer disposed on the buffer layer, a gate electrode disposed on the semiconductor layer, a gate insulating layer to electrically insulate the semiconductor layer from the gate electrode, and source and drain electrodes electrically insulated from the gate electrode and connected to the semiconductor layer. The protection layer is formed of an amine-containing clay. The OLED includes the TFT, an insulating layer disposed on the TFT, a first electrode connected to the drain electrode of the TFT, an organic layer disposed on the first electrode, and a second electrode disposed on the organic layer.

摘要翻译： 薄膜晶体管（TFT），其制造方法和具有TFT的有机发光二极管（OLED）显示装置，TFT包括基板，设置在基板上的保护层，设置在基板上的缓冲层 保护层，设置在缓冲层上的半导体层，设置在半导体层上的栅电极，将半导体层与栅极电绝缘的栅极绝缘层以及与栅电极电绝缘的源极和漏极， 半导体层。 保护层由含胺粘土形成。 OLED包括TFT，设置在TFT上的绝缘层，连接到TFT的漏电极的第一电极，设置在第一电极上的有机层和设置在有机层上的第二电极。

公开(公告)号：US20130070965A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13562568

申请日：2012-07-31

申请人： Soon-geun Jang ,  Dong-kyu Lee ,  Rae-hong Park

发明人： Soon-geun Jang ,  Dong-kyu Lee ,  Rae-hong Park

IPC分类号： G06K9/60

CPC分类号： G06K9/60 ,  G06T5/007 ,  G06T5/50 ,  G06T2207/10004 ,  G06T2207/10144 ,  G06T2207/20208 ,  G06T2207/20221 ,  H04N5/23254 ,  H04N5/235 ,  H04N5/2355

摘要： An image processing method and apparatus for obtaining a wide dynamic range image, the method including: obtaining a plurality of low dynamic range images having different exposure levels for a same scene; generating motion map representing whether motion occurred, depending on brightness ranks of the plurality of low dynamic range images; obtaining weights for the plurality of low dynamic range images; generating a weight map by combining the weights and the motion map; and generating a wide dynamic range image by fusing the plurality of low dynamic range images and the weight map. According to the image processing method and apparatus, it is possible to accurately detect motion area using a rank map, obtain a wide dynamic range image at a higher operation speed, and reduce a possibility that a phenomenon such as color warping occurs by directly combining images without using a tone mapping process.

摘要翻译： 一种用于获得宽动态范围图像的图像处理方法和装置，所述方法包括：获得对于相同场景具有不同曝光水平的多个低动态范围图像; 根据所述多个低动态范围图像的亮度级别生成表示运动是否发生的运动图; 获得所述多个低动态范围图像的权重; 通过组合权重和运动图来生成权重图; 以及通过融合所述多个低动态范围图像和所述权重图来生成宽动态范围图像。 根据图像处理方法和装置，可以使用等级图精确地检测运动区域，以更高的运行速度获得宽的动态范围图像，并且通过直接组合图像来减少发生诸如颜色翘曲的现象的可能性 而不使用色调映射过程。

公开(公告)号：US09564435B2

公开(公告)日：2017-02-07

申请号：US14754400

申请日：2015-06-29

申请人： Eun-ae Chung ,  Jung-dal Choi ,  Toshiro Nakanishi ,  Yu-bin Kim ,  Gab-jin Nam ,  Dong-kyu Lee ,  Guangfan Jiao

发明人： Eun-ae Chung ,  Jung-dal Choi ,  Toshiro Nakanishi ,  Yu-bin Kim ,  Gab-jin Nam ,  Dong-kyu Lee ,  Guangfan Jiao

IPC分类号： H01L27/01 ,  H01L27/12 ,  H01L31/0392 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/1211

摘要： A semiconductor device includes a substrate having a logic device region including logic devices thereon, and an input/output (I/O) device region including I/O devices thereon adjacent the logic device region. A first fin field-effect transistor (FinFET) on the logic device region includes a first semiconductor fin protruding from the substrate, and a triple-gate structure having a first gate dielectric layer and a first gate electrode thereon. A second FinFET on the I/O device region includes a second semiconductor fin protruding from the substrate, and a double-gate structure having a second gate dielectric layer and a second gate electrode thereon. The first and second gate dielectric layers have different thicknesses. Related devices and fabrication methods are also discussed.

摘要翻译： 半导体器件包括具有其上包括逻辑器件的逻辑器件区域的衬底，以及在其上邻近逻辑器件区域的包括I / O器件的输入/输出（I / O）器件区域。 逻辑器件区域上的第一鳍状场效应晶体管（FinFET）包括从衬底突出的第一半导体鳍片，以及在其上具有第一栅极电介质层和第一栅极电极的三栅极结构。 I / O器件区域上的第二FinFET包括从衬底突出的第二半导体鳍片，以及在其上具有第二栅极介电层和第二栅电极的双栅极结构。 第一和第二栅极电介质层具有不同的厚度。 还讨论了相关设备和制造方法。

公开(公告)号：US20160104705A1

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：US14754400

申请日：2015-06-29

申请人： Eun-ae Chung ,  Jung-dal Choi ,  Toshiro Nakanishi ,  Yu-bin Kim ,  Gab-jin Nam ,  Dong-kyu Lee ,  Guangfan Jiao

发明人： Eun-ae Chung ,  Jung-dal Choi ,  Toshiro Nakanishi ,  Yu-bin Kim ,  Gab-jin Nam ,  Dong-kyu Lee ,  Guangfan Jiao

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/1211

摘要： A semiconductor device includes a substrate having a logic device region including logic devices thereon, and an input/output (I/O) device region including I/O devices thereon adjacent the logic device region. A first fin field-effect transistor (FinFET) on the logic device region includes a first semiconductor fin protruding from the substrate, and a triple-gate structure having a first gate dielectric layer and a first gate electrode thereon. A second FinFET on the I/O device region includes a second semiconductor fin protruding from the substrate, and a double-gate structure having a second gate dielectric layer and a second gate electrode thereon. The first and second gate dielectric layers have different thicknesses. Related devices and fabrication methods are also discussed.

摘要翻译： 半导体器件包括具有其上包括逻辑器件的逻辑器件区域的衬底，以及在其上邻近逻辑器件区域的包括I / O器件的输入/输出（I / O）器件区域。 逻辑器件区域上的第一鳍状场效应晶体管（FinFET）包括从衬底突出的第一半导体鳍片，以及在其上具有第一栅极电介质层和第一栅极电极的三栅极结构。 I / O器件区域上的第二FinFET包括从衬底突出的第二半导体鳍片，以及在其上具有第二栅极介电层和第二栅电极的双栅极结构。 第一和第二栅极电介质层具有不同的厚度。 还讨论了相关设备和制造方法。

公开(公告)号：US08983341B2

公开(公告)日：2015-03-17

申请号：US13562348

申请日：2012-07-31

申请人： Ji-won Moon ,  Joo-hwan Noh ,  Dong-kyu Lee

发明人： Ji-won Moon ,  Joo-hwan Noh ,  Dong-kyu Lee

IPC分类号： G03G15/08 ,  G03G15/01 ,  G03G21/16

CPC分类号： G03G15/0189 ,  G03G15/0121 ,  G03G21/1676

摘要： An electrophotographic image forming apparatus including first and second developing devices to develop electrostatic latent images formed on first and second photosensitive bodies, each of the first and second developing devices comprise a first toner containing unit to contain a toner, the second developing device further including a second toner containing unit that is connected to the first toner containing unit by a connecting unit.

摘要翻译： 一种电子照相图像形成装置，包括第一和第二显影装置，用于显影形成在第一和第二感光体上的静电潜像，第一和第二显影装置中的每一个包括容纳调色剂的第一调色剂容纳单元，第二显影装置还包括 第二调色剂容纳单元，其通过连接单元连接到第一调色剂容纳单元。