公开(公告)号：US09263530B2

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：US14140260

申请日：2013-12-24

申请人： EPISTAR CORPORATION ,  HUGA OPTOTECH INC.

发明人： Chih-Ching Cheng ,  Tsung-Cheng Chang

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/207 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66 ,  H01L29/36 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/207 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

摘要： A field effect transistor (FET) disclosed herein comprising a substrate, a C-doped semiconductor layer disposed on the substrate, a channel layer disposed on the C-doped semiconductor layer, and an electron supply layer disposed on the channel layer. The FET further comprises a diffusion barrier layer disposed between the C-doped semiconductor layer and the channel layer, wherein the diffusion barrier layer contacts the channel layer directly.

摘要翻译： 本文公开的场效应晶体管（FET）包括衬底，设置在衬底上的C掺杂半导体层，设置在C掺杂半导体层上的沟道层和设置在沟道层上的电子供给层。 FET还包括设置在C掺杂半导体层和沟道层之间的扩散阻挡层，其中扩散阻挡层直接与沟道层接触。