公开(公告)号：US20130153886A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：US13477868

申请日：2012-05-22

申请人： Edward Yi. Chang ,  Yueh-Chin Lin ,  Chia-Hua Chang ,  Hai-Dang Trinh

发明人： Edward Yi. Chang ,  Yueh-Chin Lin ,  Chia-Hua Chang ,  Hai-Dang Trinh

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/78 ,  H01L29/94

摘要： The present invention relates to a semiconductor device and a manufacturing method thereof. The semiconductor device includes: a III-V semiconductor layer; an aluminum oxide layer formed on the III-V semiconductor layer; and a lanthanide oxide layer formed on the aluminum oxide layer. The method of manufacturing a semiconductor device includes: forming an aluminum oxide layer between a III-V semiconductor layer and a lanthanide oxide layer so as to prevent an inter-reaction of atoms between the III-V semiconductor layer and the lanthanide oxide layer.

摘要翻译： 半导体器件及其制造方法技术领域本发明涉及半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：III-V半导体层; 形成在III-V半导体层上的氧化铝层; 和在氧化铝层上形成的镧系元素氧化物层。 制造半导体器件的方法包括：在III-V半导体层和镧系元素氧化物层之间形成氧化铝层，以防止III-V族半导体层和镧系元素氧化物层之间的原子的相互反应。