公开(公告)号：US09435699B2

公开(公告)日：2016-09-06

申请号：US14689685

申请日：2015-04-17

申请人： Elmos Semiconductor AG

发明人： Arnd Ten-Have

IPC分类号： H01L29/84 ,  G01L1/16 ,  B81C1/00 ,  G01L9/00 ,  H01L27/20 ,  H01L29/66

CPC分类号： G01L1/16 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00626 ,  B81C2203/0735 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/0098 ,  H01L27/20 ,  H01L29/66075

摘要： The invention relates to a method for producing a micro-electromechanical device in a material substrate suitable for producing integrated electronic components, in particular a semiconductor substrate, wherein a material substrate (12,14,16) is provided on which at least one surface structure (26) is to be formed during production of the device. An electronic component (30) is formed in the material substrate (12,14,16) using process steps of a conventional method for producing integrated electronic components. A component element (44) defining the position of the electronic component (30) and/or required for the function of the electronic component (30) is selectively formed on the material substrate (12,14,16) from an etching stop material acting as an etching stop in case of etching of the material substrate (12,14,16) and/or in case of etching of a material layer (52) disposed on the material substrate (12,14,16). When the component element (44) of the electronic component (30) is implemented, a bounding region (48) is also formed on the material substrate (12,14,16) along at least a partial section of an edge of the surface structure (26), wherein said bounding region bounds said partial section. The material substrate (12,14, 16) thus implemented is selectively etched for forming the surface structure (26), in that the edge of the bounding region (48) defines the position of the surface structure (26) to be implemented on the material substrate (12, 14,16).

摘要翻译： 本发明涉及一种用于在适于生产集成电子部件，特别是半导体衬底的材料衬底中制造微机电器件的方法，其中提供材料衬底（12,14,16），在衬底上提供至少一个表面结构 （26）将在设备的生产期间形成。 使用用于制造集成电子部件的常规方法的工艺步骤，在材料基板（12,14,16）中形成电子部件（30）。 限定电子部件（30）的位置和/或电子部件（30）的功能所需要的部件元件（44）由选择性地形成在材料基板（12,14,16）上的蚀刻停止材料 在蚀刻材料基板（12,14,16）的情况下和/或在蚀刻设置在材料基板（12,14,16）上的材料层（52）的情况下的蚀刻停止）。 当实现电子部件（30）的部件元件（44）时，边界区域（48）也沿表面结构的边缘的至少部分部分形成在材料基板（12,14,16）上 （26），其中所述边界区域限定所述部分部分。 由此实现的材料基板（12,14,16）被选择性地蚀刻以形成表面结构（26），因为边界区域（48）的边缘限定要在其上施加的表面结构（26）的位置 材料基板（12,14,16）。

公开(公告)号：US20150219507A1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：US14689685

申请日：2015-04-17

申请人： Elmos Semiconductor AG

发明人： Arnd Ten-Have

IPC分类号： G01L1/16 ,  H01L27/20

CPC分类号： G01L1/16 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00626 ,  B81C2203/0735 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/0098 ,  H01L27/20 ,  H01L29/66075

摘要： The invention relates to a method for producing a micro-electromechanical device in a material substrate suitable for producing integrated electronic components, in particular a semiconductor substrate, wherein a material substrate (12,14,16) is provided on which at least one surface structure (26) is to be formed during production of the device. An electronic component (30) is formed in the material substrate (12,14,16) using process steps of a conventional method for producing integrated electronic components. A component element (44) defining the position of the electronic component (30) and/or required for the function of the electronic component (30) is selectively formed on the material substrate (12,14,16) from an etching stop material acting as an etching stop in case of etching of the material substrate (12,14,16) and/or in case of etching of a material layer (52) disposed on the material substrate (12,14,16). When the component element (44) of the electronic component (30) is implemented, a bounding region (48) is also formed on the material substrate (12,14,16) along at least a partial section of an edge of the surface structure (26), wherein said bounding region bounds said partial section. The material substrate (12,14, 16) thus implemented is selectively etched for forming the surface structure (26), in that the edge of the bounding region (48) defines the position of the surface structure (26) to be implemented on the material substrate (12, 14,16).

摘要翻译： 本发明涉及一种用于在适于生产集成电子部件，特别是半导体衬底的材料衬底中制造微机电器件的方法，其中提供材料衬底（12,14,16），在衬底上提供至少一个表面结构 （26）将在设备的生产期间形成。 使用用于制造集成电子部件的常规方法的工艺步骤，在材料基板（12,14,16）中形成电子部件（30）。 限定电子部件（30）的位置和/或电子部件（30）的功能所需要的部件元件（44）由选择性地形成在材料基板（12,14,16）上的蚀刻停止材料 在蚀刻材料基板（12,14,16）的情况下和/或在蚀刻设置在材料基板（12,14,16）上的材料层（52）的情况下的蚀刻停止）。 当实现电子部件（30）的部件元件（44）时，边界区域（48）也沿表面结构的边缘的至少部分部分形成在材料基板（12,14,16）上 （26），其中所述边界区域限定所述部分部分。 由此实现的材料基板（12,14,16）被选择性地蚀刻以形成表面结构（26），因为边界区域（48）的边缘限定要在其上施加的表面结构（26）的位置 材料基板（12,14,16）。