公开(公告)号：US20060034128A1

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：US11060915

申请日：2005-02-17

申请人： Eui-Gyu Han ,  Kil-Yeon Kim ,  Gyeong-Soo Han

发明人： Eui-Gyu Han ,  Kil-Yeon Kim ,  Gyeong-Soo Han

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C7/00 ,  G11C11/34

CPC分类号： G11C16/3445 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/16 ,  G11C16/344

摘要： An erase method of a non-volatile memory device including memory cells arranged in a matrix of rows and columns. The memory cells are erased at the same time. An erase-verify operation is performed for the erased memory cells. The erase method is repeated under different bias conditions of the rows. An erase-verify operation is successively performed twice or more under different bias conditions of wordlines to decrease cell current caused by a weak cell which may be produced in a process. Thus, a reliability of an erase-verify operation is enhance to increase a yield.

摘要翻译： 一种非易失性存储器件的擦除方法，包括排列成行和列的矩阵的存储单元。 存储单元同时被擦除。 对擦除的存储单元执行擦除验证操作。 在行的不同偏置条件下重复擦除方法。 擦除验证操作在字线的不同偏置条件下连续执行两次或更多次，以减少由在过程中产生的弱电池引起的电池电流。 因此，增强擦除验证操作的可靠性以增加产量。

公开(公告)号：US07272050B2

公开(公告)日：2007-09-18

申请号：US11060915

申请日：2005-02-17

申请人： Eui-Gyu Han ,  Kil-Yeon Kim ,  Gyeong-Soo Han

发明人： Eui-Gyu Han ,  Kil-Yeon Kim ,  Gyeong-Soo Han

IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C16/06

CPC分类号： G11C16/3445 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/16 ,  G11C16/344

摘要： An erase method of a non-volatile memory device including memory cells arranged in a matrix of rows and columns. The memory cells are erased at the same time. An erase-verify operation is performed for the erased memory cells. The erase method is repeated under different bias conditions of the rows. An erase-verify operation is successively performed twice or more under different bias conditions of wordlines to decrease cell current caused by a weak cell which may be produced in a process. Thus, a reliability of an erase-verify operation is enhance to increase a yield.

摘要翻译： 一种非易失性存储器件的擦除方法，包括排列成行和列的矩阵的存储单元。 存储单元同时被擦除。 对擦除的存储单元执行擦除验证操作。 在行的不同偏置条件下重复擦除方法。 擦除验证操作在字线的不同偏置条件下连续执行两次或更多次，以减少由在过程中产生的弱电池引起的电池电流。 因此，增强擦除验证操作的可靠性以增加产量。

公开(公告)号：US20060028227A1

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：US11021182

申请日：2004-12-22

申请人： Kil-Yeon Kim ,  Hoo-Sung Kim

发明人： Kil-Yeon Kim ,  Hoo-Sung Kim

IPC分类号： G01R31/02

CPC分类号： G01R31/2884 ,  G01R31/2831

摘要： According to embodiments of the invention, during a test operation a semiconductor device where an overcurrent flows is detected from among a plurality of semiconductor devices formed on the semiconductor wafer. The power to the semiconductor device where the overcurrent flows may be automatically cut. Furthermore, an overcurrent detection result with respect to semiconductor devices disposed on the wafer is provided to a test apparatus.

摘要翻译： 根据本发明的实施例，在测试操作期间，从半导体晶片上形成的多个半导体器件中检测出过电流流过的半导体器件。 能够自动切断过电流流过的半导体装置的电力。 此外，将相对于设置在晶片上的半导体器件的过电流检测结果提供给测试装置。