公开(公告)号：US08679359B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13104864

申请日：2011-05-10

申请人： Fangyu Wu ,  Dennis W. Hess ,  Galit Levitin

发明人： Fangyu Wu ,  Dennis W. Hess ,  Galit Levitin

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/32136

摘要： The present invention is directed to a method and apparatus for etching various metals that may be used in semiconductor or integrated circuit processing through the use of non-halogen gases such as hydrogen, helium, or combinations of hydrogen and helium with other gases such as argon. In one exemplary embodiment of the present invention, in a reaction chamber, a substrate having a metal interconnect layer deposited thereon is exposed to a plasma formed of non-halogen gas. The plasma generated is maintained for a certain period of time to provide for a desired or expected etching of the metal. In some embodiments, the metal interconnect layer may be copper, gold or silver.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于蚀刻各种金属的方法和装置，其可以通过使用非卤素气体例如氢，氦或氢和氦的组合与其它气体如氩气一起用于半导体或集成电路处理 。 在本发明的一个示例性实施例中，在反应室中，其上沉积有金属互连层的基板暴露于由非卤素气体形成的等离子体。 所产生的等离子体被保持一段时间以提供期望的或期望的金属蚀刻。 在一些实施例中，金属互连层可以是铜，金或银。