公开(公告)号：US20020088994A1

公开(公告)日：2002-07-11

申请号：US10035444

申请日：2002-01-04

申请人： Fujitsu Quantum Devices Limited

发明人： Fumikazu Yamaki ,  Takeshi Igarashi

IPC分类号： H01L029/06 ,  H01L031/0328 ,  H01L031/0336 ,  H01L021/3205

CPC分类号： H01L29/812 ,  H01L29/155 ,  H01L29/7371

摘要： A semiconductor device includes a compound semiconductor substrate having a resistivity less than 1.0null108 Ohm-cm at least at one surface thereof, a buffer layer formed on the compound semiconductor substrate and having a super lattice structure, and an active layer formed on the buffer layer and having an active element formed therein.

摘要翻译： 半导体器件包括至少在其一个表面具有小于1.0×10 8 Ohm-cm的电阻率的化合物半导体衬底，形成在化合物半导体衬底上并具有超晶格结构的缓冲层以及形成在缓冲层上的有源层 并且其中形成有活性元件。