公开(公告)号：US06620559B2

公开(公告)日：2003-09-16

申请号：US09967698

申请日：2001-09-28

申请人： Günther Czech ,  Wolfgang Henke ,  Carsten Fülber

发明人： Günther Czech ,  Wolfgang Henke ,  Carsten Fülber

IPC分类号： G03F900

CPC分类号： G03F1/34 ,  G03F7/2022

摘要： The photomask and the associated method of lithography and mask technique enable production of a regular configuration of resist dots or holes. At least one photomask is a phase mask. The method is useful for the production of magnetic memory components, in particular MRAM memories, having elliptically shaped magnetic memory elements of high density.

公开(公告)号：US06686098B2

公开(公告)日：2004-02-03

申请号：US09729062

申请日：2000-12-04

申请人： Günther Czech ,  Christoph Friedrich ,  Carsten Fülber ,  Rainer Käsmaier ,  Dietrich Widmann

发明人： Günther Czech ,  Christoph Friedrich ,  Carsten Fülber ,  Rainer Käsmaier ,  Dietrich Widmann

IPC分类号： G03F900

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G03F1/26 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/70033 ,  G03F7/70233 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70575

摘要： Layers are patterned with a lithography method during the fabrication of integrated circuits. A mask, which may be reflective or transmissive, for carrying out the method. The photosensitive layers are exposed to radiation that is emitted by a radiation source. The radiation lies in the extreme ultraviolet region and is guided via the mask onto the photosensitive layers.

摘要翻译： 在集成电路制造过程中，利用光刻方法对层进行图案化。 可以是反射或透射的用于执行该方法的掩模。 感光层暴露于由辐射源发射的辐射。 辐射位于极紫外区域，并通过掩模引导到感光层上。