公开(公告)号：US07727340B2

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：US11811396

申请日：2007-06-08

申请人： Gilyong Y. Chung ,  Chin-Che Tin ,  John R. Williams ,  Kyle McDonald ,  Massimiliano De Ventra ,  Robert A. Weller ,  Socrates T. Pantelides ,  Leonard C. Feldman

发明人： Gilyong Y. Chung ,  Chin-Che Tin ,  John R. Williams ,  Kyle McDonald ,  Massimiliano De Ventra ,  Robert A. Weller ,  Socrates T. Pantelides ,  Leonard C. Feldman

IPC分类号： H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/3145 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L21/31658 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

摘要： In one aspect the present invention provides a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device. A layer of silicon dioxide is formed on a silicon carbide substrate and nitrogen is incorporated at the silicon dioxide/silicon carbide interface. In one embodiment, nitrogen is incorporated by annealing the semiconductor device in nitric oxide or nitrous oxide. In another embodiment, nitrogen is incorporated by annealing the semiconductor device in ammonia.

摘要翻译： 一方面，本发明提供一种制造碳化硅半导体器件的方法。 在碳化硅衬底上形成二氧化硅层，并且在二氧化硅/碳化硅界面上并入氮。 在一个实施方案中，通过在一氧化氮或一氧化二氮中对半导体器件进行退火来引入氮。 在另一个实施方案中，通过用氨将半导体器件退火而并入氮气。