公开(公告)号：US20080164560A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US11883706

申请日：2006-02-02

申请人： Guilhem Almuneau ,  Antonio Munoz-Yague ,  Thierry Camps ,  Chantal Fontaine ,  Veronique Bardinal-Delagnes

发明人： Guilhem Almuneau ,  Antonio Munoz-Yague ,  Thierry Camps ,  Chantal Fontaine ,  Veronique Bardinal-Delagnes

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/02255 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31666

摘要： The invention relates to a method of producing a semiconductor device, comprising the following steps consisting in: forming first, second and third semiconductor layers (1, 2, 3), whereby the first and second layers (1, 3) contain a smaller concentration of oxidisable species than the second layer (2); forming a mask (4) on the third layer (3); and oxidising the second layer (2) with the diffusion of oxidising species through the third layer (3).

摘要翻译： 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：形成第一，第二和第三半导体层（1,2,3），由此第一和第二层（1,3）含有较小的浓度 的可氧化物质比第二层（2）; 在所述第三层（3）上形成掩模（4）; 以及氧化物质通过第三层（3）的扩散来氧化第二层（2）。

公开(公告)号：US07932160B2

公开(公告)日：2011-04-26

申请号：US11883706

申请日：2006-02-02

申请人： Guilhem Almuneau ,  Antonio Munoz-Yague ,  Thierry Camps ,  Chantal Fontaine ,  Véronique Bardinal-Delagnes

发明人： Guilhem Almuneau ,  Antonio Munoz-Yague ,  Thierry Camps ,  Chantal Fontaine ,  Véronique Bardinal-Delagnes

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/02255 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31666

摘要： The invention relates to a method of producing a semiconductor device, comprising the following steps consisting in: forming first, second and third semiconductor layers (1, 2, 3), whereby the first and second layers (1, 3) contain a smaller concentration of oxidizable species than the second layer (2); forming a mask (4) on the third layer (3); and oxidizing the second layer (2) with the diffusion of oxidizing species through the third layer (3).

摘要翻译： 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：形成第一，第二和第三半导体层（1,2,3），由此第一和第二层（1,3）含有较小的浓度 的可氧化物质比第二层（2）; 在所述第三层（3）上形成掩模（4）; 以及氧化物质通过第三层（3）的扩散来氧化第二层（2）。