公开(公告)号：US20070181953A1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：US11672875

申请日：2007-02-08

申请人： Gyu-Ho LYU ,  Seug-Gyu KIM

发明人： Gyu-Ho LYU ,  Seug-Gyu KIM

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L27/0688 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108

摘要： A semiconductor device includes a first semiconductor layer, a first interlayer insulation layer, a second semiconductor layer, and a gate pattern. The first interlayer insulation layer covers the first semiconductor layer. The second semiconductor layer is formed on the first interlayer insulation layer and includes source regions, drain regions, and a channel region interposed between the source region and the drain region. The gate pattern includes a gate insulation layer on the channel region of the second semiconductor layer. At least one of the source regions and the drain regions includes an elevated layer having a top surface higher than that of the channel region.

摘要翻译： 半导体器件包括第一半导体层，第一层间绝缘层，第二半导体层和栅极图案。 第一层间绝缘层覆盖第一半导体层。 第二半导体层形成在第一层间绝缘层上，包括源极区，漏极区和介于源极区和漏极区之间的沟道区。 栅极图案包括在第二半导体层的沟道区上的栅绝缘层。 源极区域和漏极区域中的至少一个包括具有高于沟道区域的顶表面的升高层。