公开(公告)号：US20080316846A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12201996

申请日：2008-08-29

申请人： Gyu-Yeol KIM ,  Sang-Man BYUN ,  Yong-Gyu CHU ,  Seok-Ho PARK

发明人： Gyu-Yeol KIM ,  Sang-Man BYUN ,  Yong-Gyu CHU ,  Seok-Ho PARK

IPC分类号： G11C29/00 ,  G11C8/00

CPC分类号： G11C29/48 ,  G11C29/10 ,  G11C29/1201

摘要： A semiconductor memory device to which information of different data bits can be written, and a method of electrically testing the semiconductor memory device are provided. In a mode for testing a memory cell array of the semiconductor memory device, the semiconductor memory comprises a control signal generation pad capable of writing non-identical data to data input/output pads of each group when data is written to the memory cell array.

摘要翻译： 提供可以写入不同数据位的信息的半导体存储器件，以及电半导体存储器件的电测试方法。 在用于测试半导体存储器件的存储单元阵列的模式中，半导体存储器包括一个控制信号生成焊盘，当数据被写入存储单元阵列时，该控制信号产生焊盘能够将不相同的数据写入每个组的数据输入/输出焊盘。