公开(公告)号：US20090311635A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12339836

申请日：2008-12-19

申请人： HUI W. CHEN ,  CHORNG-PING CHANG ,  YONGMEI CHEN ,  HUIXIONG DAI ,  JIAHUA YU ,  SUSIE X. YANG ,  XUMOU XU ,  CHRISTOPHER D. BENCHER ,  RAYMOND HOIMAN HUNG ,  MICHAEL P. DUANE ,  CHRISTOPHER SIU WING NGAI ,  JEN SHU ,  KENNETH MACWILLIAMS

发明人： HUI W. CHEN ,  CHORNG-PING CHANG ,  YONGMEI CHEN ,  HUIXIONG DAI ,  JIAHUA YU ,  SUSIE X. YANG ,  XUMOU XU ,  CHRISTOPHER D. BENCHER ,  RAYMOND HOIMAN HUNG ,  MICHAEL P. DUANE ,  CHRISTOPHER SIU WING NGAI ,  JEN SHU ,  KENNETH MACWILLIAMS

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/091 ,  G03F7/2022

摘要： Methods to pattern features in a substrate layer by exposing a photoresist layer more than once. In one embodiment, a single reticle may be exposed more than once with an overlay offset implemented between successive exposures to reduce the half pitch of the reticle. In particular embodiments, these methods may be employed to reduce the half pitch of the features printed with 65 nm generation lithography equipment to achieve 45 nm lithography generation CD and pitch performance.

摘要翻译： 通过不止一次地曝光光致抗蚀剂层来对衬底层中的特征进行图案化的方法。 在一个实施例中，单个掩模版可以在连续曝光之间实现的覆盖偏移曝光不止一次以减小掩模版的半间距。 在特定实施例中，可以使用这些方法来减少用65nm生成光刻设备印刷的特征的半间距，以实现45nm光刻产生CD和间距性能。