公开(公告)号：US20160225786A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：US14993485

申请日：2016-01-12

申请人： HYUN-WOOK LEE ,  DAEWOONG KANG ,  DAE SIN KIM ,  KWANG SOO SEOL ,  HOMIN SON ,  SEUNGHYUN LIM

发明人： HYUN-WOOK LEE ,  DAEWOONG KANG ,  DAE SIN KIM ,  KWANG SOO SEOL ,  HOMIN SON ,  SEUNGHYUN LIM

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11556 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/42348

摘要： A semiconductor device includes a stack comprising insulating patterns vertically stacked on a substrate and gate patterns interposed between the insulating patterns, an active pillar passing through the stack and electrically connected to the substrate and a charge storing layer interposed between the stack and the active pillar. The charge storing layer includes a first portion between the active pillar and one of the gate patterns, a second portion between the active pillar and one of the insulating patterns, and a third portion joining the first portion to the second portion and having a thickness less than that of the first portion.

摘要翻译： 半导体器件包括堆叠，其包括垂直堆叠在衬底上的绝缘图案和插入在绝缘图案之间的栅极图案，穿过堆叠并电连接到衬底的有源柱和插入在堆叠和有源柱之间的电荷存储层。 电荷存储层包括在有源支柱和一个栅极图案之间的第一部分，在有源支柱和一个绝缘图案之间的第二部分，以及将第一部分连接到第二部分并且具有较小厚度的第三部分 比第一部分。