公开(公告)号：US06303399B1

公开(公告)日：2001-10-16

申请号：US09800441

申请日：2001-03-06

申请人： Hans-Juergen Engelmann ,  Beate Volkmann ,  Ehrenfried Zschech

发明人： Hans-Juergen Engelmann ,  Beate Volkmann ,  Ehrenfried Zschech

IPC分类号： H01L2166

CPC分类号： G01N1/2806 ,  G01R31/307

摘要： A method is provided for preparing a sample for cross-section analysis by a transmission electron microscope. Semiconductor samples containing recessed portions or unfilled structures are filled with a filling material so as to produce a planar top surface onto which a metal layer can be deposited for thinning the sample to a thickness of less than 100 nm by an FIB technique.

摘要翻译： 提供了一种通过透射电子显微镜制备用于横截面分析的样品的方法。 包含凹部或未填充结构的半导体样品填充有填充材料，以便产生平面顶表面，通过FIB技术，可以沉积金属层以使样品变薄至小于100nm的厚度。