公开(公告)号：US5837094A

公开(公告)日：1998-11-17

申请号：US798117

申请日：1997-02-12

申请人： Hisashi Tsukazaki ,  Makoto Doi ,  Shigemi Miyazaki ,  Akira Oohisa

发明人： Hisashi Tsukazaki ,  Makoto Doi ,  Shigemi Miyazaki ,  Akira Oohisa

IPC分类号： G01N15/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/66 ,  H01L21/677 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L21/67748 ,  H01L21/67253

摘要： In a semiconductor manufacturing apparatus, the number of fine particles is counted by a particle monitor 15 mounted to a part of an exhaust pipe 12 for exhausting a gas in a process chamber 4, and an end point detection controller 31 observes the count value in time sequence to detect an end point time of plasma etching or plasma cleaning. Further, in a semiconductor manufacturing apparatus, it is possible to calibrate a detection accuracy of the particle monitor with high accuracy.

摘要翻译： 在半导体制造装置中，通过安装在排气管12的一部分中的颗粒监测器15来计数微粒的数量，用于排出处理室4中的气体，并且终点检测控制器31及时地观察计数值 序列以检测等离子体蚀刻或等离子体清洁的终点时间。 此外，在半导体制造装置中，可以高精度地校准粒子监视器的检测精度。