公开(公告)号：US20080166865A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US12021181

申请日：2008-01-28

申请人： Hyun-Sang Hwang ,  Ho-Kyung Park ,  Man Jang ,  Min-Seok Jo

发明人： Hyun-Sang Hwang ,  Ho-Kyung Park ,  Man Jang ,  Min-Seok Jo

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28282

摘要： A method of fabricating a flash memory is provided. The method includes forming a tunneling insulating film, a charge storage film, and a blocking insulating film on a semiconductor substrate; performing High Temperature (HT) anneal for the resultant semiconductor substrate; and performing Low Temperature (LT) wet vapor anneal for the resultant semiconductor substrate.

摘要翻译： 提供一种制造闪速存储器的方法。 该方法包括在半导体衬底上形成隧道绝缘膜，电荷存储膜和阻挡绝缘膜; 对所得半导体衬底进行高温（HT）退火; 并对所得的半导体衬底进行低温（LT）湿蒸气退火。

公开(公告)号：US07528039B2

公开(公告)日：2009-05-05

申请号：US12021181

申请日：2008-01-28

申请人： Hyun-Sang Hwang ,  Ho-Kyung Park ,  Man Jang ,  Min-Seok Jo

发明人： Hyun-Sang Hwang ,  Ho-Kyung Park ,  Man Jang ,  Min-Seok Jo

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28282

摘要： A method of fabricating a flash memory is provided. The method includes forming a tunneling insulating film, a charge storage film, and a blocking insulating film on a semiconductor substrate; performing High Temperature (HT) anneal for the resultant semiconductor substrate; and performing Low Temperature (LT) wet vapor anneal for the resultant semiconductor substrate.

摘要翻译： 提供一种制造闪速存储器的方法。 该方法包括在半导体衬底上形成隧道绝缘膜，电荷存储膜和阻挡绝缘膜; 对所得半导体衬底进行高温（HT）退火; 并对所得的半导体衬底进行低温（LT）湿蒸气退火。