公开(公告)号：US09105684B2

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：US13465593

申请日：2012-05-07

申请人： Hyung-suk Choi ,  Hyun-tae Jung ,  Eung-ryul Park ,  Da-soon Lee

发明人： Hyung-suk Choi ,  Hyun-tae Jung ,  Eung-ryul Park ,  Da-soon Lee

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/762 ,  H01L21/761

CPC分类号： H01L29/0649 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76224

摘要： An isolation structure of a semiconductor, a semiconductor device having the same, and a method for fabricating the isolation structure are provided. An isolation structure of a semiconductor device may include a trench formed in a substrate, an oxide layer formed on a bottom surface and an inner sidewall of the trench, a filler formed on the oxide layer to fill a part of inside of the trench, and a fourth oxide layer filling an upper portion of the filler of the trench to a height above an upper surface of the trench, an undercut structure being formed on a boundary area between the inner sidewall and the oxide layer.

摘要翻译： 提供半导体的隔离结构，具有该隔离结构的半导体器件以及用于制造隔离结构的方法。 半导体器件的隔离结构可以包括形成在衬底中的沟槽，形成在沟槽的底表面和内侧壁上的氧化物层，形成在氧化物层上以填充沟槽内部的一部分的填充物，以及 将沟槽的填料的上部填充到沟槽的上表面上方的高度的第四氧化物层，在内侧壁和氧化物层之间的边界区域上形成底切结构。

公开(公告)号：US20110115016A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12835514

申请日：2010-07-13

申请人： Jae-Han Cha ,  Kyung-Ho Lee ,  Sun-goo Kim ,  Hyung-suk Choi ,  Ju-Ho Kim ,  Jin-Young Chae ,  In-Taek Oh

发明人： Jae-Han Cha ,  Kyung-Ho Lee ,  Sun-goo Kim ,  Hyung-suk Choi ,  Ju-Ho Kim ,  Jin-Young Chae ,  In-Taek Oh

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H01L29/7835 ,  H01L21/76264 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7816

摘要： A semiconductor device includes a substrate with one or more active regions and an isolation layer formed to surround an active region and to extend deeper into the substrate than the one or more active regions. The semiconductor further includes a gate electrode, which covers a portion of the active region, and which has one end ;portion thereof extending over the isolation layer.

摘要翻译： 半导体器件包括具有一个或多个有源区的衬底和形成为围绕有源区并且比一个或多个有源区更深地延伸到衬底中的隔离层。 半导体还包括覆盖有源区的一部分并且具有一端的栅电极;其一部分在隔离层上延伸。