公开(公告)号：US6080527A

公开(公告)日：2000-06-27

申请号：US442861

申请日：1999-11-18

申请人： I-Hsiung Huang ,  Anseime Chen ,  Jiunn-Ren Huang

发明人： I-Hsiung Huang ,  Anseime Chen ,  Jiunn-Ren Huang

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F1/36

摘要： An optical proximity correction method for rectifying pattern on negative photoresist. Line pattern of integrated circuit is divided into L-shape regions or T-shaped regions. The L-shaped or T-shaped regions are further dissected into rectangular patches. Area of each rectangular patch is suitably reduced and reproduced onto a photomask. The photomask is used to form a corrected photoresist pattern.

摘要翻译： 一种用于在负光致抗蚀剂上整流图案的光学邻近校正方法。 集成电路的线路图案分为L形区域或T形区域。 L形或T形区域进一步分解成矩形斑块。 每个矩形贴片的面积被适当地减小并再现到光掩模上。 光掩模用于形成校正的光致抗蚀剂图案。