公开(公告)号：US20160181424A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：US14909981

申请日：2013-09-26

Applicant: INTEL CORPORATION

Inventor： Rafael RIOS ,  Roza KOTLYAR ,  Kelin KUHN

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/08 ,  H01L29/165 ,  H01L21/02 ,  H01L29/40 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/28512 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66795

Abstract: Methods of forming a strained channel device utilizing dislocations disposed in source/drain structures are described. Those methods/structures may include forming a source/drain region in a substrate of a device, and forming an alloy in the source/drain region, wherein the alloy comprises a material that decreases a band gap between source/drain contacts and the source/drain regions to substantially zero. The embodiments herein reduce an external parasitic resistance of the device.

Abstract translation: 描述了利用设置在源极/漏极结构中的位错形成应变通道器件的方法。 这些方法/结构可以包括在器件的衬底中形成源极/漏极区域，以及在源极/漏极区域中形成合金，其中合金包括减小源极/漏极接触点与源极/漏极接触点之间的带隙的材料， 漏极区域基本上为零。 这里的实施例减小了器件的外部寄生电阻。