公开(公告)号：US20130005133A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13523928

申请日：2012-06-15

申请人： JUNG-CHAN LEE ,  DAE-YOUNG KWAK ,  SEUNG-JAE LEE ,  JAE-SUNG HUR ,  SANG-BOM KANG ,  BYUNG-SUK JUNG ,  Zulkarnain

发明人： JUNG-CHAN LEE ,  DAE-YOUNG KWAK ,  SEUNG-JAE LEE ,  JAE-SUNG HUR ,  SANG-BOM KANG ,  BYUNG-SUK JUNG ,  Zulkarnain

IPC分类号： H01L21/283

CPC分类号： H01L21/823456 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66545

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device can uniformly form a metal gate irrespective of gate pattern density. The method includes forming an interlayer dielectric layer having a trench on a substrate, forming a metal layer having first, second and third sections extending along the sides of the trench, the bottom of the trench and on the interlayer dielectric layer, respectively, forming a sacrificial layer pattern exposing an upper part of the first section of the metal layer, forming a spacer pattern on the exposed part of the first section of the metal layer, and forming a first gate metal layer by etching the first section of the metal layer using the sacrificial layer pattern and the spacer pattern as masks.

摘要翻译： 无论栅极图案密度如何，制造半导体器件的方法均匀地形成金属栅极。 该方法包括在衬底上形成具有沟槽的层间电介质层，形成金属层，该金属层具有分别沿着沟槽的侧面，沟槽的底部和层间介电层延伸的第一，第二和第三部分，形成 牺牲层图案，暴露金属层的第一部分的上部，在金属层的第一部分的暴露部分上形成间隔图案，并且通过用金属层的第一部分蚀刻来形成第一栅极金属层，使用 牺牲层图案和间隔图案作为掩模。