公开(公告)号：US08775139B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US13162406

申请日：2011-06-16

申请人： Jae Wan Shim ,  Hyun Cheol Koo ,  Suk Hee Han ,  Byoung Chul Min ,  Jun Woo Choi ,  Kyung Ho Shin ,  Jin Dong Song

发明人： Jae Wan Shim ,  Hyun Cheol Koo ,  Suk Hee Han ,  Byoung Chul Min ,  Jun Woo Choi ,  Kyung Ho Shin ,  Jin Dong Song

IPC分类号： G06G7/50 ,  G06G7/48 ,  G06F17/50 ,  G06T13/20 ,  G06T13/80

CPC分类号： G06F17/5018 ,  G06F17/5009 ,  G06F2217/16 ,  G06T13/20 ,  G06T13/80

摘要： A method for simulating fluid flow includes: discretizing a space in which a fluid flows into a regular lattice; assuming that fluid particles repetitively move and collide in the lattice; deriving a univariate polynomial equation by comparing the n-th (n is a non-negative integer) order momentum of velocity between the Maxwell-Boltzmann distribution and the discretized Maxwell-Boltzmann distribution; calculating the weight coefficients corresponding to the discrete velocities of the fluid particles based on the univariate polynomial equation; and deriving a lattice Boltzmann model using the weight coefficients. A lattice Boltzmann model with superior stability and accuracy may be derived easily.

摘要翻译： 用于模拟流体流动的方法包括：离散流体流入规则晶格的空间; 假设流体颗粒在格子中重复地移动和碰撞; 通过比较Maxwell-Boltzmann分布与离散Maxwell-Boltzmann分布之间的速度的第n（n是非负整数）阶次动量，得出单变量多项式方程; 基于单变量多项式方程计算与流体颗粒的离散速度对应的权重系数; 并使用权重系数导出格子波尔兹曼模型。 可以很容易地得出具有优异的稳定性和精度的晶格玻尔兹曼模型。

公开(公告)号：US08125247B2

公开(公告)日：2012-02-28

申请号：US12899778

申请日：2010-10-07

申请人： Hyun Cheol Koo ,  Suk Hee Han ,  Joon Yeon Chang ,  Hyung Jun Kim ,  Jun Woo Choi

发明人： Hyun Cheol Koo ,  Suk Hee Han ,  Joon Yeon Chang ,  Hyung Jun Kim ,  Jun Woo Choi

IPC分类号： H03K19/091 ,  H01L21/02

CPC分类号： H03K19/091 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/16 ,  H03K19/18

摘要： There is provided a complementary spin transistor logic circuit, including: a parallel spin transistor that includes a magnetized first source, a first drain magnetized in parallel with the magnetization direction of the first source, a first channel layer and a first gate electrode; and an anti-parallel spin transistor that includes a magnetized second source, a second drain magnetized in anti-parallel with the magnetization direction of the second source, a second channel layer and a second gate electrode, wherein the first gate electrode and the second gate electrode are connected to a common input terminal.

摘要翻译： 提供了一种互补自旋晶体管逻辑电路，包括：并联自旋晶体管，其包括磁化的第一源，与第一源的磁化方向平行磁化的第一漏极，第一沟道层和第一栅电极; 以及反并联自旋晶体管，其包括磁化的第二源极，与所述第二源极的磁化方向反并联的第二漏极，第二沟道层和第二栅电极，其中所述第一栅电极和所述第二栅极 电极连接到公共输入端子。

公开(公告)号：US20110279146A1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：US12899778

申请日：2010-10-07

申请人： Hyun Cheol Koo ,  Suk Hee Han ,  Joon Yeon Chang ,  Hyung Jun Kim ,  Jun Woo Choi

发明人： Hyun Cheol Koo ,  Suk Hee Han ,  Joon Yeon Chang ,  Hyung Jun Kim ,  Jun Woo Choi

IPC分类号： H03K19/091

CPC分类号： H03K19/091 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/16 ,  H03K19/18

摘要： There is provided a complementary spin transistor logic circuit, including: a parallel spin transistor that includes a magnetized first source, a first drain magnetized in parallel with the magnetization direction of the first source, a first channel layer and a first gate electrode; and an anti-parallel spin transistor that includes a magnetized second source, a second drain magnetized in anti-parallel with the magnetization direction of the second source, a second channel layer and a second gate electrode, wherein the first gate electrode and the second gate electrode are connected to a common input terminal.

摘要翻译： 提供了一种互补自旋晶体管逻辑电路，包括：并联自旋晶体管，其包括磁化的第一源，与第一源的磁化方向平行磁化的第一漏极，第一沟道层和第一栅电极; 以及反并联自旋晶体管，其包括磁化的第二源极，与所述第二源极的磁化方向反并联的第二漏极，第二沟道层和第二栅电极，其中所述第一栅电极和所述第二栅极 电极连接到公共输入端子。