公开(公告)号：US20090110069A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US12076278

申请日：2008-03-14

申请人： Jae-woo Jung ,  Dae-hee Kim ,  Dae-sung Cho ,  Hyun-mun Kim ,  Woon-Il Choi

发明人： Jae-woo Jung ,  Dae-hee Kim ,  Dae-sung Cho ,  Hyun-mun Kim ,  Woon-Il Choi

IPC分类号： H04N7/32

CPC分类号： H04N19/182 ,  H04N19/11 ,  H04N19/14 ,  H04N19/593 ,  H04N19/61

摘要： Provided are a method and apparatus for encoding/decoding a moving picture by using the diffusion properties of the image. In the method, a value of a current pixel is predicted from the values of neighboring pixels of the current pixel, based on the variations between the values of the neighboring pixels present in directions toward the current pixel; a correction value of the predicted value is calculated from at least one variation from among the variations; the value of the current pixel is determined by reflecting the correction value into the predicted value; and then, the original image is reconstructed using the determined value of the current pixel.

摘要翻译： 提供了一种通过使用图像的漫射特性对运动图像进行编码/解码的方法和装置。 在该方法中，基于当前像素的方向上存在的相邻像素的值之间的变化，从当前像素的相邻像素的值预测当前像素的值; 从变化中的至少一个变化计算预测值的校正值; 通过将校正值反映到预测值中来确定当前像素的值; 然后，使用当前像素的确定值重建原始图像。

公开(公告)号：US20130059413A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：US13666516

申请日：2012-11-01

申请人： Woon-Il Choi ,  Hyung-Sik Kim ,  Ui-Sik Kim

发明人： Woon-Il Choi ,  Hyung-Sik Kim ,  Ui-Sik Kim

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L27/14609 ,  H01L21/02129 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

摘要： A pixel of an image sensor includes a polysilicon layer, and an active region which needs to be electrically coupled with the polysilicon layer, wherein the polysilicon layer extends over a portion of the active region, such that the polysilicon layer and the active region are partially overlapped, and the polysilicon layer and the active region are coupled through a buried contact structure.

摘要翻译： 图像传感器的像素包括多晶硅层和需要与多晶硅层电耦合的有源区域，其中多晶硅层在有源区域的一部分上延伸，使得多晶硅层和有源区域部分地 重叠，并且多晶硅层和有源区通过掩埋接触结构耦合。

公开(公告)号：US20060273354A1

公开(公告)日：2006-12-07

申请号：US11444394

申请日：2006-06-01

申请人： Woon-Il Choi ,  Hyung-Sik Kim ,  Ui-Sik Kim

发明人： Woon-Il Choi ,  Hyung-Sik Kim ,  Ui-Sik Kim

IPC分类号： H01L29/768

CPC分类号： H01L27/14609 ,  H01L21/02129 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

摘要： A pixel of an image sensor includes a polysilicon layer, and an active region which needs to be electrically coupled with the polysilicon layer, wherein the polysilicon layer extends over a portion of the active region, such that the polysilicon layer and the active region are partially overlapped, and the polysilicon layer and the active region are coupled through a buried contact structure.

摘要翻译： 图像传感器的像素包括多晶硅层和需要与多晶硅层电耦合的有源区域，其中多晶硅层在有源区域的一部分上延伸，使得多晶硅层和有源区域部分地 重叠，并且多晶硅层和有源区通过掩埋接触结构耦合。

公开(公告)号：US09263484B2

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：US13666516

申请日：2012-11-01

申请人： Woon-Il Choi ,  Hyung-Sik Kim ,  Ui-Sik Kim

发明人： Woon-Il Choi ,  Hyung-Sik Kim ,  Ui-Sik Kim

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L27/146 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L27/14609 ,  H01L21/02129 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

摘要： A pixel of an image sensor includes a polysilicon layer, and an active region which needs to be electrically coupled with the polysilicon layer, wherein the polysilicon layer extends over a portion of the active region, such that the polysilicon layer and the active region are partially overlapped, and the polysilicon layer and the active region are coupled through a buried contact structure.

公开(公告)号：US08309993B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US12838065

申请日：2010-07-16

申请人： Woon-Il Choi ,  Hyung-Sik Kim ,  Ui-Sik Kim

发明人： Woon-Il Choi ,  Hyung-Sik Kim ,  Ui-Sik Kim

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L27/14609 ,  H01L21/02129 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

摘要： A pixel of an image sensor includes a polysilicon layer, and an active region which needs to be electrically coupled with the polysilicon layer, wherein the polysilicon layer extends over a portion of the active region, such that the polysilicon layer and the active region are partially overlapped, and the polysilicon layer and the active region are coupled through a buried contact structure.

摘要翻译： 图像传感器的像素包括多晶硅层和需要与多晶硅层电耦合的有源区域，其中多晶硅层在有源区域的一部分上延伸，使得多晶硅层和有源区域部分地 重叠，并且多晶硅层和有源区通过掩埋接触结构耦合。

公开(公告)号：US07851275B2

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：US11444394

申请日：2006-06-01

申请人： Woon-Il Choi ,  Hyung-Sik Kim ,  Ui-Sik Kim

发明人： Woon-Il Choi ,  Hyung-Sik Kim ,  Ui-Sik Kim

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/14609 ,  H01L21/02129 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

摘要： A pixel of an image sensor includes a polysilicon layer, and an active region which needs to be electrically coupled with the polysilicon layer, wherein the polysilicon layer extends over a portion of the active region, such that the polysilicon layer and the active region are partially overlapped, and the polysilicon layer and the active region are coupled through a buried contact structure.

摘要翻译： 图像传感器的像素包括多晶硅层和需要与多晶硅层电耦合的有源区域，其中多晶硅层在有源区域的一部分上延伸，使得多晶硅层和有源区域部分地 重叠，并且多晶硅层和有源区通过掩埋接触结构耦合。

公开(公告)号：US20100276737A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12838065

申请日：2010-07-16

申请人： Woon-Il Choi ,  Hyung-Sik Kim ,  Ui-Sik Kim

发明人： Woon-Il Choi ,  Hyung-Sik Kim ,  Ui-Sik Kim

IPC分类号： H01L31/112

CPC分类号： H01L27/14609 ,  H01L21/02129 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

摘要： A pixel of an image sensor includes a polysilicon layer, and an active region which needs to be electrically coupled with the polysilicon layer, wherein the polysilicon layer extends over a portion of the active region, such that the polysilicon layer and the active region are partially overlapped, and the polysilicon layer and the active region are coupled through a buried contact structure.

摘要翻译： 图像传感器的像素包括多晶硅层和需要与多晶硅层电耦合的有源区域，其中多晶硅层在有源区域的一部分上延伸，使得多晶硅层和有源区域部分地 重叠，并且多晶硅层和有源区通过掩埋接触结构耦合。