公开(公告)号：US07678605B2

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US12190882

申请日：2008-08-13

申请人： James Allen Schlueter ,  Bentley J. Palmer

发明人： James Allen Schlueter ,  Bentley J. Palmer

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： C09G1/02

摘要： A method and associated composition for chemical mechanical planarization of a chalcogenide-containing substrate (e.g., germanium/antimony/tellurium (GST)-containing substrate) are described. The composition and method afford low defect levels as well as low dishing and local erosion levels on the chalcogenide-containing substrate during CMP processing.

摘要翻译： 描述了含硫族化物的衬底（例如，含锗/锑（碲（GST））衬底的化学机械平面化的方法和相关组合物）。 组合物和方法在CMP处理期间在含硫属化物的衬底上提供低缺陷水平以及低的凹陷和局部侵蚀水平。

公开(公告)号：US20090057834A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：US12190882

申请日：2008-08-13

申请人： James Allen Schlueter ,  Bentley J. Palmer

发明人： James Allen Schlueter ,  Bentley J. Palmer

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L21/306

CPC分类号： C09G1/02

摘要： A method and associated composition for chemical mechanical planarization of a chalcogenide-containing substrate (e.g., germanium/antimony/tellurium (GST)-containing substrate) are described. The composition and method afford low defect levels as well as low dishing and local erosion levels on the chalcogenide-containing substrate during CMP processing.

摘要翻译： 描述了含硫族化物的衬底（例如，含锗/锑（碲（GST））衬底的化学机械平面化的方法和相关组合物）。 组合物和方法在CMP处理期间在含硫属化物的衬底上提供低缺陷水平以及低的凹陷和局部侵蚀水平。