公开(公告)号：US5997949A

公开(公告)日：1999-12-07

申请号：US717316

申请日：1996-09-20

申请人： Marc-A. Nicolet ,  Roland Madar ,  Claude Bernard ,  James G. Fleming ,  Elizabeth Lynn Roherty-Osmun ,  Paul M. Smith ,  Jonathan S. Custer ,  Ronald V. Jones

发明人： Marc-A. Nicolet ,  Roland Madar ,  Claude Bernard ,  James G. Fleming ,  Elizabeth Lynn Roherty-Osmun ,  Paul M. Smith ,  Jonathan S. Custer ,  Ronald V. Jones

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/08

CPC分类号： C23C16/34

摘要： The present invention relates to the forming of amorphous or near-amorphous, ternary films of W-Si-N on substrates by chemical vapor deposition of WF.sub.6, SiH.sub.4 and NH.sub.3 and a carrier gas. The present invention method will allow the conformal forming of amorphous or near-amorphous, ternary films of W-Si-N on patterned non-planar substrates at temperatures at or below about 450.degree. C., by chemical vapor deposition of WF.sub.6, SiH.sub.4 and NH.sub.3 and a carrier gas. A typical temperature range for the formation of the films is between 473.degree. K. and 773.degree. K., while the reactor pressure can be varied between 0.1 to 50 Torr. The composition of the deposited films is adjusted by varying the flow ratios of the reactive gases.

摘要翻译： 本发明涉及通过WF6，SiH4和NH3以及载气的化学气相沉积在衬底上形成W-Si-N的无定形或近无定形三元膜。 本发明的方法将允许通过化学气相沉积WF6，SiH4和等离子体化学气相沉积，在等温或低于约450℃的温度下，在图案化的非平面衬底上形成W-Si-N的无定形或接近非晶态的三元膜 NH 3和载气。 用于形成膜的典型温度范围为473°K和773°K之间，而反应器压力可以在0.1至50托之间变化。 通过改变反应气体的流量比来调节沉积膜的组成。

公开(公告)号：US5916634A

公开(公告)日：1999-06-29

申请号：US724341

申请日：1996-10-01

申请人： James G. Fleming ,  Elizabeth Lynn Roherty-Osmun ,  Paul M. Smith ,  Jonathan S. Custer ,  Ronald V. Jones ,  Marc-A. Nicolet ,  Roland Madar ,  Claude Bernard

发明人： James G. Fleming ,  Elizabeth Lynn Roherty-Osmun ,  Paul M. Smith ,  Jonathan S. Custer ,  Ronald V. Jones ,  Marc-A. Nicolet ,  Roland Madar ,  Claude Bernard

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  H01L21/768 ,  C23C16/08

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34

摘要： A method of depositing a ternary, refractory based thin film on a substrate by chemical vapor deposition employing precursor sources of tungsten comprising WF.sub.6, either silicon or boron, and nitrogen. The result is a W--Si--N or W--B--N thin film useful for diffusion barrier and micromachining applications.

摘要翻译： 一种通过化学气相沉积在衬底上沉积三元耐火材料的薄膜的方法，其中使用包含WF6（硅或硼）和氮的钨的前体源。 结果是可用于扩散阻挡和微加工应用的W-Si-N或W-B-N薄膜。