公开(公告)号：US06213680B1

公开(公告)日：2001-04-10

申请号：US09302831

申请日：1999-04-30

申请人： James Kenyon Schaeffer ,  Roger D. Randall ,  John L. Edwards ,  Brian D. Huffman ,  Jack L. Crosby ,  Paul Svaldi

发明人： James Kenyon Schaeffer ,  Roger D. Randall ,  John L. Edwards ,  Brian D. Huffman ,  Jack L. Crosby ,  Paul Svaldi

IPC分类号： E01C2308

CPC分类号： B28C9/04 ,  E01C19/47 ,  E01C23/0993 ,  E01C23/166 ,  E01C23/24

摘要： Apparatus and methods are provided for filling a groove in a pavement with a groove filling grout. The present invention is used for forming pavement markings, such as lane striping.

摘要翻译： 提供了一种装置和方法，用于在具有凹槽填充灌浆的路面中填充凹槽。 本发明用于形成路面标线，如车道条纹。

公开(公告)号：US07691701B1

公开(公告)日：2010-04-06

申请号：US12348332

申请日：2009-01-05

申请人： Michael P. Belyansky ,  Siddarth A. Krishnan ,  Unoh Kwon ,  Naim Moumen ,  Ravikumar Ramachandran ,  James Kenyon Schaeffer ,  Richard Wise ,  Keith Kwong Hon Wong ,  Hongwen Yan

发明人： Michael P. Belyansky ,  Siddarth A. Krishnan ,  Unoh Kwon ,  Naim Moumen ,  Ravikumar Ramachandran ,  James Kenyon Schaeffer ,  Richard Wise ,  Keith Kwong Hon Wong ,  Hongwen Yan

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/823857

摘要： Embodiments of the present invention provide a method of forming gate stacks for field-effect-transistors. The method includes forming a metal-containing layer directly on a first titanium-nitride (TiN) layer, the first TiN layer covering areas of a semiconductor substrate designated for first and second types of field-effect-transistors; forming a capping layer of a second TiN layer on top of the metal-containing layer; patterning the second TiN layer and the metal-containing layer to cover only a first portion of the first TiN layer, the first portion of the first TiN layer covering an area designated for the first type of field-effect-transistors; etching away a second portion of the first TiN layer exposed by the patterning while protecting the first portion of the first TiN layer, from the etching, through covering with at least a portion of thickness of the patterned metal-containing layer; and forming a third TiN layer covering an areas of the semiconductor substrate designated for the second type of field-effect-transistors.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了一种形成场效应晶体管的栅叠层的方法。 该方法包括直接在第一氮化钛（TiN）层上形成含金属层，第一TiN层覆盖用于第一和第二类场效应晶体管的半导体衬底的区域; 在所述含金属层的顶部上形成第二TiN层的覆盖层; 图案化第二TiN层和含金属层以仅覆盖第一TiN层的第一部分，第一TiN层的第一部分覆盖指定用于第一类型的场效应晶体管的区域; 蚀刻通过图案化暴露的第一TiN层的第二部分，同时通过覆盖图案化的含金属层的厚度的至少一部分来保护第一TiN层的第一部分免受蚀刻; 以及形成覆盖指定用于第二类场效应晶体管的半导体衬底的区域的第三TiN层。