公开(公告)号：US5557146A

公开(公告)日：1996-09-17

申请号：US091648

申请日：1993-07-14

申请人： Jeffrey S. Britt ,  Christos S. Ferekides

发明人： Jeffrey S. Britt ,  Christos S. Ferekides

IPC分类号： H01L21/441 ,  H01L21/465 ,  H01L29/45 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/073 ,  H01L29/43

CPC分类号： H01L31/073 ,  H01L21/441 ,  H01L21/465 ,  H01L29/45 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/543

摘要： An ohmically conductive contact for a thin film p-type semiconductor compound formed of at least one of the metal elements of Class IIB of the Periodic Table of Elements and at least one of the non-metal elements of Class VIA of the Periodic Table of Elements and photovoltaic devices incorporating such contacts. An ohmic contact, according to the invention, includes a layer of conductive binder paste having mercury telluride and/or copper telluride dispersed therein. The invention also relates to a method of forming such ohmic contacts.

摘要翻译： 由元素周期表的IIB族的金属元素中的至少一种形成的薄膜p型半导体化合物的欧姆导电接触和元素周期表VIA族的至少一种非金属元素 和包含这种触点的光伏器件。 根据本发明的欧姆接触包括具有分散在其中的碲化汞和/或碲化铜的导电粘合剂糊剂层。 本发明还涉及一种形成这种欧姆接触的方法。