公开(公告)号：US20120068147A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13304187

申请日：2011-11-23

申请人： Jen-Chi CHUANG ,  Ming-Jeng HUANG ,  Chien-Min LEE ,  Jia-Yo LIN ,  Min-Chih WANG

发明人： Jen-Chi CHUANG ,  Ming-Jeng HUANG ,  Chien-Min LEE ,  Jia-Yo LIN ,  Min-Chih WANG

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： A method for forming a phase change memory device is disclosed. A substrate with a bottom electrode thereon is provided. A heating electrode and a dielectric layer are formed on the bottom electrode, wherein the heating electrode is surrounded by the dielectric layer. The heating electrode is etched to form recess in the dielectric layer. A phase change material is deposited on the dielectric layer, filling into the recess. The phase change material is polished to remove a portion of the phase change material exceeding the surface of the dielectric layer and a phase change layer is formed confined in the recess of the dielectric layer. A top electrode is formed on the phase change layer and the dielectric layer.

摘要翻译： 公开了一种形成相变存储器件的方法。 提供具有底部电极的基板。 在底部电极上形成加热电极和电介质层，其中加热电极被电介质层包围。 蚀刻加热电极以在电介质层中形成凹陷。 相变材料沉积在介电层上，填充到凹槽中。 抛光相变材料以除去超过介电层表面的一部分相变材料，并将相变层限制在电介质层的凹槽中。 在相变层和电介质层上形成顶部电极。