公开(公告)号：US06500767B2

公开(公告)日：2002-12-31

申请号：US09874164

申请日：2001-06-05

申请人： Jen-Jiann Chiou ,  Shin-Yi Tsai

发明人： Jen-Jiann Chiou ,  Shin-Yi Tsai

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L21/32138 ,  H01L21/32139

摘要： A method of etching a metallic layer having an anti-reflection layer thereon. The method includes performing a first etching operation using a fixed set of processing parameters to etch the anti-reflection layer and remove a specified thickness of the metallic layer. Thereafter, a second etching operation is conducted to etch the remaining metallic layer.

摘要翻译： 一种在其上蚀刻具有防反射层的金属层的方法。 该方法包括使用固定的一组处理参数来执行第一蚀刻操作，以蚀刻抗反射层并去除特定厚度的金属层。 此后，进行第二蚀刻操作以蚀刻剩余的金属层。