公开(公告)号：US20090258302A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：US12100907

申请日：2008-04-10

申请人： Jeng-Shiun Ho ,  Jun-Hua Chen ,  Luke Lo ,  Louis Lin ,  Bing-Syun Yeh ,  Cheng-Cheng Kuo ,  Hua-Tai Lin

发明人： Jeng-Shiun Ho ,  Jun-Hua Chen ,  Luke Lo ,  Louis Lin ,  Bing-Syun Yeh ,  Cheng-Cheng Kuo ,  Hua-Tai Lin

IPC分类号： G03F1/00 ,  G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A photomask including a main feature, corresponding to an integrated circuit feature, and a sub-resolution assist feature (SRAF) is provided. A first imaginary line tangential with a first edge of the main feature and a second imaginary line tangential with the second edge of the main feature define an area adjacent the main feature. A center point of the SRAF lies within this area. The SRAF may be a symmetrical feature. In an embodiment, the center point of the SRAF lies on an imaginary line extending at approximately 45-degree angle from a corner of a main feature.

摘要翻译： 提供了包括对应于集成电路特征的主要特征的光掩模和子分辨率辅助特征（SRAF）。 与主要特征的第一边缘切线的第一虚拟线和与主要特征的第二边缘相切的第二假想线切线限定与主要特征相邻的区域。 SRAF的中心位于该区域内。 SRAF可以是对称的特征。 在一个实施例中，SRAF的中心点位于从主要特征的角度以大约45度角延伸的假想线上。