公开(公告)号：US08381153B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US12884442

申请日：2010-09-17

Applicant: Chia-Ping Chiang ,  Yu-Po Tang ,  Ming-Hui Chih ,  Cheng-Kun Tsai ,  Wei-Long Wang ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu ,  Tsai-Sheng Gau ,  Cheng-Lung Tsai ,  Josh J. H. Feng ,  Bing-Syun Yeh ,  Jeng-Shiun Ho ,  Cheng-Cheng Kuo

Inventor： Chia-Ping Chiang ,  Yu-Po Tang ,  Ming-Hui Chih ,  Cheng-Kun Tsai ,  Wei-Long Wang ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu ,  Tsai-Sheng Gau ,  Cheng-Lung Tsai ,  Josh J. H. Feng ,  Bing-Syun Yeh ,  Jeng-Shiun Ho ,  Cheng-Cheng Kuo

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5068 ,  G06F2217/12 ,  Y02P90/265

Abstract: The present disclosure provides one embodiment of an integrated circuit (IC) design method. The method includes receiving an IC design layout having a plurality of main features; applying a main feature dissection to the main features of the IC design layout and generating sub-portions of the main features; performing an optical proximity correction (OPC) to the main features; performing a mask rule check (MRC) to a main feature of the IC design layout; and modifying one of the sub-portions of the main feature if the main feature fails the MRC.

Abstract translation: 本公开提供了集成电路（IC）设计方法的一个实施例。 该方法包括接收具有多个主要特征的IC设计布局; 将主要特征解剖应用于IC设计布局的主要特征，并生成主要特征的子部分; 对主要特征执行光学邻近校正（OPC）; 执行掩模规则检查（MRC）到IC设计布局的主要特征; 并且如果主要特征使MRC故障，则修改主要特征的一个子部分。

公开(公告)号：US20090258302A1

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：US12100907

申请日：2008-04-10

Applicant: Jeng-Shiun Ho ,  Jun-Hua Chen ,  Luke Lo ,  Louis Lin ,  Bing-Syun Yeh ,  Cheng-Cheng Kuo ,  Hua-Tai Lin

Inventor： Jeng-Shiun Ho ,  Jun-Hua Chen ,  Luke Lo ,  Louis Lin ,  Bing-Syun Yeh ,  Cheng-Cheng Kuo ,  Hua-Tai Lin

IPC: G03F1/00 ,  G06F17/50

CPC classification number: G03F1/36

Abstract: A photomask including a main feature, corresponding to an integrated circuit feature, and a sub-resolution assist feature (SRAF) is provided. A first imaginary line tangential with a first edge of the main feature and a second imaginary line tangential with the second edge of the main feature define an area adjacent the main feature. A center point of the SRAF lies within this area. The SRAF may be a symmetrical feature. In an embodiment, the center point of the SRAF lies on an imaginary line extending at approximately 45-degree angle from a corner of a main feature.

Abstract translation: 提供了包括对应于集成电路特征的主要特征的光掩模和子分辨率辅助特征（SRAF）。 与主要特征的第一边缘切线的第一虚拟线和与主要特征的第二边缘相切的第二假想线切线限定与主要特征相邻的区域。 SRAF的中心位于该区域内。 SRAF可以是对称的特征。 在一个实施例中，SRAF的中心点位于从主要特征的角度以大约45度角延伸的假想线上。

公开(公告)号：US20120072874A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US12884442

申请日：2010-09-17

Applicant: Chia-Ping Chiang ,  Yu-Po Tang ,  Ming-Hui Chih ,  Cheng-Kun Tsai ,  Wei-Long Wang ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu ,  Tsai-Sheng Gau ,  Cheng-Lung Tsai ,  Josh J.H. Feng ,  Bing-Syun Yeh ,  Jeng-Shiun Ho ,  Cheng-Cheng Kuo

Inventor： Chia-Ping Chiang ,  Yu-Po Tang ,  Ming-Hui Chih ,  Cheng-Kun Tsai ,  Wei-Long Wang ,  Wen-Chun Huang ,  Ru-Gun Liu ,  Tsai-Sheng Gau ,  Cheng-Lung Tsai ,  Josh J.H. Feng ,  Bing-Syun Yeh ,  Jeng-Shiun Ho ,  Cheng-Cheng Kuo

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5068 ,  G06F2217/12 ,  Y02P90/265

Abstract: The present disclosure provides one embodiment of an integrated circuit (IC) design method. The method includes receiving an IC design layout having a plurality of main features; applying a main feature dissection to the main features of the IC design layout and generating sub-portions of the main features; performing an optical proximity correction (OPC) to the main features; performing a mask rule check (MRC) to a main feature of the IC design layout; and modifying one of the sub-portions of the main feature if the main feature fails the MRC.

Abstract translation: 本公开提供了集成电路（IC）设计方法的一个实施例。 该方法包括接收具有多个主要特征的IC设计布局; 将主要特征解剖应用于IC设计布局的主要特征，并生成主要特征的子部分; 对主要特征执行光学邻近校正（OPC）; 执行掩模规则检查（MRC）到IC设计布局的主要特征; 并且如果主要特征使MRC故障，则修改主要特征的一个子部分。