公开(公告)号：US20060137609A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US11224767

申请日：2005-09-12

申请人： Jerzy Puchacz ,  Sasangan Ramanathan ,  Manolito Reyes ,  Thomas Seidel

发明人： Jerzy Puchacz ,  Sasangan Ramanathan ,  Manolito Reyes ,  Thomas Seidel

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： H01L21/67167 ,  H01L21/6719

摘要： A wafer processing apparatus includes one or more processing modules, each having multiple, distinct, single-wafer processing reactors configured for semi-independent ALD and/or CVD film deposition therein; a robotic central wafer handler configured to provide wafers to and accept wafers from each of said wafer processing modules; and a single-wafer loading and unloading mechanism that includes a loading and unloading port and a mini-environment coupling the loading and unloading port to the robotic central wafer handler. The wafer processing reactors may be arranged (i) along axes of a Cartesian coordinate system, or (ii) in quadrants defined by said axes, one axis being parallel to a wafer input plane of the at least one of the process modules to which the single-wafer processing reactors belong. Each processing module can include up to four single-wafer processing reactors, each with an independent gas distribution module.

摘要翻译： 晶片处理装置包括一个或多个处理模块，每个处理模块具有多个，不同的单晶片处理反应器，其被配置用于半独立的ALD和/或CVD膜沉积; 机器人中央晶片处理器，被配置为向每个所述晶片处理模块提供晶片并接受晶片; 以及单晶片加载和卸载机构，其包括装载和卸载端口以及将加载和卸载端口耦合到机器人中央晶片处理器的小型环境。 晶圆处理反应器可以沿着笛卡尔坐标系的轴线布置，或者（ii）在由所述轴限定的象限中，一个轴平行于至少一个工艺模块的晶片输入平面， 单晶圆加工反应堆属于 每个处理模块可以包括多达四个单晶圆处理反应器，每个具有独立的气体分配模块。